随着1.4nm晶圆代工竞赛进入关键阶段，台积电、英特尔与三星三大晶圆巨头正展开不同战略布局。

台积电稳步推进14A（1.4nm）制程，预计2028年量产；英特尔则将重心从Intel 18A（1.8nm）转向Intel 14A（1.4nm），调整战略抢市；而三星则因财务压力宣布延后1.4nm量产至2029年，各家企业选择揭示晶圆代工格局正在重塑。

台积电稳健推进14A制程，2028年目标不变

在1.4nm先进制程的竞争中，台积电技术稳健发展，预计2028年量产。

A14为第二代纳米片（Nanosheet）晶体管，并采用NanoFlex Pro标准单元架构，在相同功率下速度提升10%~15%，相同速度功耗降低25%~30%，逻辑密度提升1.2倍。

值得注意的是，台积电在新节点的研发上，对于新技术的采用始终保持相对谨慎和保守姿态。

专家指出，此举是为避免多项未验证技术同时上线，有助缩短良率“爬坡期”，提升量产稳定性与交付效率。

英特尔调整战略，重押14A制程取代18A

另一边，英特尔晶圆代工部门的日子也不好过。据报道，英特尔首席执行官陈立武正考虑将资源重心从18A转向14A，放弃前任CEO帕特·基辛格（Patrick Gelsinger）主推的18A节点。

18A导入RibbonFET与PowerVia等先进技术，但主要为内部产品设计，对外部客户吸引力有限。报道指出，英特尔的18A制程被认为与台积电的3nm制程处于同一水准。

英特尔14A预计2027年进行风险试产，并将采用采用第二代环绕闸极技术RibbonFET 2和第二代背面供电网络PowerDirect，搭配Turbo Cells强化性能与功耗表现，预期性能提升15%~20%、芯片密度提升近30%、功耗降低25%以上。

值得一提的是，英特尔在High NA EUV光刻设备的部署上走在前列，已经在安装了第二台High NA EUV，但英特尔仍面临重重障碍。

台积电和三星等竞争对手正在积极扩展自身制程，而英特尔为保持领先地位而每年投入的400多亿美元资本支出，可能会使其资产负债表捉襟见肘。

同时，14A制程节点2026年的发布时间表也取决于能否解决High NA EUV光刻机的良率问题，鉴于此类光刻机供应有限，这项任务十分复杂。

此外，尽管微软18A芯片顺利推进，英伟达与超AMD等AI巨头仍偏好台积电，英特尔需通过14A证明其制程具备竞争力。

三星宣布延后1.4nm量产至2029年

与此同时，三星也于早先宣布，原计划2027年量产的1.4nm制程将延后至2029年，原计划今年启动的测试线也延宕至年底或明年。

这比台积电的2028年时间表还晚一年，显示三星在晶圆代工的竞争力恐再被稀释。

此举被外界解读为因应连年亏损的策略转向。2023年三星晶圆代工部门亏损高达4万亿韩元，2024年首季仍亏损2万亿韩元。

因此，三星选择暂停对1.4nm的高额投入，转而专注于提升2nm制程良率与成熟工艺效益。

目前三星2nm良率仅约40%，远低于台积电的60%稳定门槛。三星已成立项目小组全力确保新款处理器Exynos 2600的顺利量产，并争取来自特斯拉、高通等美国大客户的2nm订单。