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三星加速美国德州芯片厂建设 争抢美订单及补贴
2 天前
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来源：集微网
三星加速美国德州泰勒工厂建设，旨在获得《芯片法案》资金支持并满足美国客户需求，目标2026年底量产3纳米和2纳米芯片。
据外媒报道，三星电子已派遣具备芯片制造各领域专业知识的员工前往其位于美国德克萨斯州的工厂，此举可能是为了加速泰勒工厂的建设，并暗示美国公司可能对向三星下芯片订单表现出兴趣。
然而，三星急于完成泰勒工厂的建设可能还有另一原因。外媒报道称，三星需要使该工厂投入运营，以便有资格获得《芯片法案》的资金支持。
此前，三星推迟了泰勒工厂的启动，主要是由于难以确保其芯片产量的客户。根据三星C&T（负责该项目的三星电子建设部门）的文件显示，截至3月，该工厂的建设进度已达91.8%。尽管最初计划于2024年4月完工，但提交给韩国金融监管机构的文件显示，截止日期现已延长至2025年10月底。
与此同时，三星正致力于在今年年底前将2纳米芯片的良率提升至约70%。在泰勒工厂全面投产前，考虑到投资的规模，稳定良率和争取美国客户是关键挑战。
泰勒工厂预计将生产先进的3纳米和2纳米芯片，目标在2026年底实现大规模生产。
