【突破】3D DRAM 材料瓶颈突破!研究团队实现 120 层 Si/SiGe 叠层
4 天前 / 阅读约13分钟
来源:集微网
研究团队实现120层Si/SiGe叠层结构,视为3D DRAM重要突破。美国政府入股英特尔引发业内关注,分析师称此举强化信心但对技术无直接帮助。费城半导体指数微涨。

1.3D DRAM 材料瓶颈突破!研究团队实现 120 层 Si/SiGe 叠层

2.美国政府入股英特尔意义何在?郭明錤:不适用于台积电三星

3.上半年浙江“415X”先进制造业集群规上营收创新高

4.海外芯片股一周涨跌幅:美宣布持英特尔9.9%股份,费城半导体指数涨0.03%

1.3D DRAM 材料瓶颈突破!研究团队实现 120 层 Si/SiGe 叠层

比利时 imec(校际微电子中心) 与根特大学(Ghent University) 研究团队宣布,在 300 毫米硅晶圆上成功外延生长 120 层 Si/SiGe 叠层结构,视为推动 3D DRAM 的重要突破。

这项成果已发表于 《Journal of Applied Physics》。随着传统 DRAM 制程缩小至 10 奈米级以下,电容体积不断缩小,导致电荷保存更困难、漏电问题加剧,业界普遍认为平面微缩已逼近极限。若要满足 AI 与高效能运算(HPC)庞大的存储器需求,未来势必要藉由“垂直堆栈”来提升密度,其概念与逻辑芯片的 环绕闸极(GAA) 类似,透过三维结构设计突破既有限制。

虽然 HBM(高频宽存储器)也经常被称为 3D 存储器,但严格来说,它属于芯片堆栈式  DRAM:先制造多颗 2D DRAM 晶粒,再透过 TSV(硅穿孔) 互连组合,本质上仍然是 2D。

真正的 3D DRAM 则是要像 3D NAND Flash 一样,在单一芯片内部,直接把存储器单元沿 Z 轴方向垂直堆栈。

过去,由于硅与硅锗(SiGe)晶格不匹配,一旦层数过多就容易出现缺陷,难以突破数十层的瓶颈。这次 imec 团队透过加入碳元素,就像在层与层之间涂了一层“隐形黏胶”,有效缓解了应力(stress),展现稳定性。

研究团队指出,这项成果证明 3D DRAM 在材料层级具备可行性。随着应力控制与制程优化逐步成熟,未来 3D DRAM 有望像 3D NAND 一样走向商用化,为 AI 与资料中心带来更高的容量与能效。


2.美国政府入股英特尔意义何在?郭明錤:不适用于台积电三星

美国政特朗普政府入股英特尔一事引发业内广泛关注。天风国际证券知名分析师郭明錤在X上对此发表分析称,美国政府入股英特尔的最大意义在于提供信心支持,强化了英特尔“大到不能倒”的信念,但是此举不适用于台积电、三星。

郭明錤指出,美国政府入股英特尔,无法保证其“技术上限”,但能确保“估值下限”。此举这对英特尔先进制程技术没有直接帮助,但会让市场愿意用更低的折现率重新评估英特尔股价净值比,有助于提高英特尔的估值地板并改善股市表现,从而间接支持英特尔运营。



不过,他认为,入股模式并不适用于中国台湾地区的台积电和韩国三星电子,因为晶圆代工是国家级战略资源。若有外国政府入股,无异于将部分最重要的国家级战略资源所有权交给外国政府,可能引发潜在政治风险,而这是美国政府不希望看到的。

郭明錤称,台积电与三星目前盈利稳定,因此会在意普通股初级股可能造成的每股收益稀释。此外,台积电与三星没有肩负振兴美国半导体的责任,因此保持政治中立对其长期运营更有利。(凤凰网)


3.上半年浙江“415X”先进制造业集群规上营收创新高

今年上半年,浙江“415X”先进制造业集群规上营收达4.67万亿元,同比增长5%,高出面上工业1.5个百分点,关键支柱作用凸显。

“415X”先进制造业集群是浙江“两新”深度融合的主战场,也是浙江特色现代化产业体系的主体。今年以来,浙江的集群运行稳进提质、向新向好,为确保高质量完成全年目标任务,更好发挥工业经济压舱石和支撑作用。

集群结构体系向新优化,传统产业、新兴产业、未来产业产业集群齐头并进。上半年,浙江一手抓传统产业转型升级,出台传统产业内生裂变若干举措,实施重点技改项目5641个,完成设备更新7.32万台(套),积极应对美加征关税,纺织服装、家具家电、绿色石化等传统产业集群顶住了压力;一手抓新兴产业培育壮大,船舶海工、人工智能、新能源装备、智能物联、新能源汽车、高端软件、集成电路、机器人与数控机床等8个集群营收实现两位数增长。同时抓未来产业前瞻布局,累计培育未来产业先导区22家,24个未来产业创新发展案例纳入工信部推广目录,居全国第一。

集群创新主战场地位稳固,研发投入稳步提升,创新成果加快涌现。上半年,“415X”先进制造业集群规上研发费用达1601.1亿元,同比增长4.8%,占全省规上工业研发费用的88%,较去年提升0.7个百分点;

研发费用占营收比重达3.4%,高出工业面上0.2个百分点。同时,上半年集群新产品产值率达42%,工业机器人、锂离子电池、新能源汽车等产品产量保持高位增长。

面向下一阶段的增长,集群后劲很足。一方面,生产效益有改善,有钱才有可持续的投入。上半年,集群规上利润总额2353.2亿元,同比增长10.9%,高出工业面上5.5个百分点。像人工智能等8个集群实现利润两位数以上增长。另一方面,集群重大项目有序推进,616个总投资10亿元以上的集群重大制造业项目现已完成投资1287.8亿元,纺织服装、新能源汽车、绿色石化等集群投资完成率较高。138个集群新建重大项目开工率达81.2%,如新能源汽车集群绍兴比亚迪半导体功率器件、衢州极电三电系统等百亿级项目加快建设,预计年内投产;新能源装备集群温州瑞浦兰钧年产24GWh动力与储能锂离子电池项目厂房建设基本完成。

在奋战三季度的关键时期,围绕全年力争“415X”先进制造业集群规上营收突破9.5万亿元的目标,接下来,浙江一方面继续做好“两新”深度融合这篇大文章,一体推进传统产业焕新升级、新兴产业发展壮大、未来产业科学布局,加快出台新兴未来产业实施意见;另一方面持续打好集群培育“8个+”组合拳,加快构建“省级—国家级—世界级”梯度培育体系,全力争取世界级集群。


4.海外芯片股一周涨跌幅:美宣布持英特尔9.9%股份,费城半导体指数涨0.03%

编者按:一直以来,爱集微凭借强大的媒体平台和原创内容生产力,全方位跟踪全球半导体行业热点,为全球用户提供专业的资讯服务。此次,爱集微推出《海外芯片股》系列,将聚焦海外半导体上市公司,第一时间跟踪海外上市公司的公告发布、新闻动态和深度分析,敬请关注。《海外芯片股》系列主要跟踪覆盖的企业包括美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾等全球半导体主要生产和消费地的上市公司,目前跟踪企业数量超过110家,后续仍将不断更替完善企业数据库。



上周,全球重要指数涨多跌少。美股方面,道指涨1.53%,纳指跌0.58%,标普500涨0.27%。欧洲地区,英国富时100指数涨2.00%,法国CAC40指数涨0.58%,德国DAX30指数涨0.02%。亚洲地区,日经225跌1.72%,韩国综合跌1.76%,台湾加权指数跌2.34%。另外,费城半导体指数涨0.03%。

整体行情:美宣布持英特尔9.9%股份

北京时间8月23日凌晨,美股周五全线收涨,道指创历史新高。美联储主席鲍威尔在备受期待的杰克逊霍尔央行年会讲话中暗示未来可能降息,他称若条件允许“可能有必要”降息,美联储将“谨慎”推进政策。

北京时间8月23日,美国总统唐纳德·特朗普表示,美国将持有英特尔9.9%的股份,这是与这家陷入困境的芯片制造商达成的一项协议的一部分,该协议将政府拨款转换为股权份额。这是白宫对美国企业界采取的最新重大干预措施。该协议使特朗普与英特尔首席执行官陈立武的关系更加融洽,此前特朗普曾表示,鉴于存在利益冲突,这位首席执行官应该辞职。该协议将确保这家芯片制造商获得约100亿美元的资金,用于在美国建设或扩建工厂。

根据协议,美国将以89亿美元的价格购买英特尔9.9%的股份,每股价格为20.47美元,这比英特尔周五收盘价24.80美元低约4美元。

此次购买4.333亿股英特尔股票的资金将来自拜登政府《芯片法案》未支付的拨款57亿美元以及为安全隔离项目向英特尔提供的32亿美元拨款,该项目也是在特朗普前任民主党总统乔·拜登任期内获得的。

全球晶圆代工企业围绕2nm制程的竞争愈演愈烈,据报道,台积电已将2nm制程晶圆价格定为每片约3万美元,并对所有客户实行统一价格。据半导体行业消息人士透露,台积电宣布,计划将2nm制程的生产价格定为每片3万美元,且对所有客户实施“不打折、不议价”的策略。这比目前的3nm制程价格高出约50%至66%。台积电预计要在未来34个月内开始试产2nm,初始月产能为30000~35000片晶圆,预计2026年将在四座新厂扩充至月产60000片。据报道,初期良率在60%左右,SRAM的良率预计将超过90%,达到足以进行量产的水平。

韩国领先的人工智能(AI)半导体公司Rebellions,正加速其大规模Pre-IPO(上市前融资)进程,这得益于国内外投资者的高投资热情。投资者看好Rebellions稳定的营收增长轨迹和明年上市的高可能性,积极考虑大规模投资。据风险投资行业消息人士透露,Rebellions的目标是在今年10月完成约2000亿韩元的融资。近期,随着三星风险投资和三星证券完成出资,Rebellions的融资势头强劲。包括韩国产业银行和未来资产风险投资在内的现有投资者也表现出浓厚的兴趣。投资界预计,Rebellions将成功募集超过其目标的资金。

Rebellions本轮融资前的企业估值1.5万亿韩元。自去年12月与Sapeon合并后,其估值达到1.3万亿韩元,短短八个月内就增长2000亿韩元。随着今年营收开始全面增长,该公司估值也随之上涨。

据报道,三星电子7月向英伟达发送的第六代高带宽存储器(HBM4)样品已通过可靠性测试,并将于8月底进入最后的预生产阶段。如果最终测试进展顺利,HBM4最早可能在今年底开始量产。三星电子的HBM4样品已于7月交付给英伟达。据报道,该样品已通过初步原型测试和质量测试,并将于8月底进入“预生产”阶段。一位业内人士表示:“据我了解,它在包括良率在内的质量方面获得了积极评价,并且已经进入预生产阶段。”他补充道:“如果通过预生产阶段,它将在11月或12月实现量产。”HBM4将应用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin”。此外,据悉,三星电子的12层HBM3E产品也将于8月底通过英伟达的质量测试并开始交付。

知情人士称,英伟达已要求部分零部件供应商暂停生产其专为中国市场设计的H20 Al芯片。据报道,英伟达已指示总部位于亚利桑那州的安靠科技本周停止生产H20芯片,并通知了三星电子。另外,英伟达已要求富士康暂停H20 AI芯片的研发工作。富士康作为英伟达芯片的零部件供应商之一,负责后端加工工作。与此同时,英伟达发言人在一份声明中表示:“我们不断管理供应链,以应对市场形势。”

个股方面:欧美地区涨跌不一,亚洲地区态势较差

爱集微跟踪的106家境外半导体上市公司表现一般,其中57家上涨,49家下跌,费城半导体指数涨0.03%。

美股57家公司涨多跌少,45家上涨,12家下跌,其中涨幅居前的是盛美半导体(22.02%)、TOWER半导体(16.77%)、英特格(13.80%)、芯科实验室(11.06%)、亚德诺(8.88%)、SITIME(8.82%)、安霸(7.39%),跌幅居前的是超威半导体(-5.49 %)、迈威尔科技(-4.19%)、博通(-4.03%)。

欧洲方面,8家公司,4家上涨,4家下跌,其中涨幅居前的是德国世创(6.64%)、SOITEC(3.24%),跌幅居前的是ASM INTERNATIONAL(-4.83%)、北欧半导体(-1.84%)。

日韩地区,13家公司,2家上涨,11家下跌,其中涨幅居前的是胜高(3.29%),跌幅居前的是SK海力士(-9.22%)、DISCO(-8.76%)、LASERTEC半导体(-7.81%)。

中国台湾及中国香港地区28家公司中,6家上涨,22家下跌,其中涨幅居前的是汉磊(7.02%)、富采(6.57%),跌幅居前的是世芯-KY(-14.29%)、谱瑞-KY(-6.94%)、联合再生(-6.72%)、南亚科(-5.52%)。