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因缺陷导致性能问题，消息称三星 V9 QLC NAND 闪存商用延至 2026 上半年
17 小时前
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来源：IT之家
三星电子V9高容量QLC NAND商用化遇阻，计划推迟至2026年上半年。初期产品存在设计缺陷，SK海力士宣布完成321层QLC NAND研发并量产，三星V10级NAND尚未公布商用时间表。
IT之家 9 月 17 日消息，科技媒体 ZDNet Korea 昨日（9 月 16 日）发布博文，报道称三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍，导致大规模商用计划推迟至 2026 年上半年。
IT之家援引博文介绍，三星已经于 2024 年 4 月开始量产 V9 NAND，首批产品采用 TLC（三层单元）结构，容量达到 1Tb；随后于 2024 年 9 月，三星开始量产更高容量的 V9 QLC（四层单元）NAND。
不过消息源从多方渠道获悉，初期 V9 QLC 产品存在设计缺陷，造成性能下降，迫使公司推迟上市。尽管三星仍然占据整个 NAND 市场的主导地位，但在 QLC 领域却落后了。报告指出，其旗舰 QLC NAND 产品仍停留在 V7 代，而 V8 尚未发布 QLC 版本。
与之形成对比的是，SK 海力士在 8 月底宣布完成 321 层、2Tb QLC NAND 的研发并量产，成为全球首款超过 300 层的 QLC 产品。据公司介绍，该产品数据传输速度是前代的两倍，写入性能提高 56%，读取性能提升 18%，写入功耗效率增加 23%，在低功耗至关重要的 AI 数据中心具备更强竞争力。
报道还提到，三星在今年 2 月发布了超过 400 层的 V10 级 1Tb TLC NAND，但尚未公布商用时间表。日本铠侠（Kioxia）则在 2025 年初展示了 V10 级 332 层 NAND，但同样尚未进入量产阶段。
