俄罗斯科学院微结构物理研究所制定了国产极紫外（EUV）光刻设备的长期发展路线图，该设备工作波长为11.2nm。新项目从2026年开始，采用40nm制造技术，并延伸至2037年，涵盖10nm以下制造工艺。

最引人注目的是，拟议的EUV系统避免复制ASML设备的架构。相反，他们计划采用一套完全不同的技术：混合固态激光器、氙气等离子体光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射镜，这些反射镜可反射11.2nm波长的光。ASML的EUV设备选择使用氙气而非锡液滴，可以消除损坏光掩模的碎屑，从而大幅减少维护工作。同时，与ASML的DUV设备相比，更低的复杂性意味着可以避免在先进节点中使用高压浸没液和多重图案化步骤。

该路线图包括三个主要阶段。

第一阶段（2026-2028年）计划推出一款40nm工艺能力的光刻机，配备双镜物镜，10nm套刻精度，曝光场高达3 x 3 mm，吞吐量超过每小时五片晶圆。

第二阶段（2029-2032年）将引入一款28nm（未来有望实现14nm）的扫描仪，采用四镜光学系统，提供5nm套刻精度，26 x 0.5 mm的曝光场，以及超过每小时50片晶圆的输出。

第三阶段（2033-2036年）瞄准10nm以下制程生产，配备六镜配置，2nm套刻对齐，曝光场尺寸高达26 x 2 mm，设计吞吐量超过每小时100片晶圆。

在分辨率方面，这些工具预计将支持从65nm到9nm的范围，满足2025年至2027年许多当前和未来关键层的要求。每一代都提高了光学精度和扫描效率，同时与ASML的Twinscan NXE和EXE平台相比，大概能保持显著较低的单位成本结构。

值得注意的是，开发者声称使用EUV技术在落后节点上带来了一些意想不到的好处。然而，他们并未提及使用11.2nm波长激光所带来的复杂性（如不同类型的镜片、不同的抛光工具、不同的光学器件、不同的光源、不同的电源单元、光刻胶等），这是一个非行业标准的EUV光刻波长。

总体而言，这份路线图或许勾勒出了俄罗斯通过规避传统EUV限制实现芯片生产自给自足的计划。然而，该计划的可执行性尚不明确，因为它是否会超越整个行业，这一点还有待证实。