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华虹宏力“ETOXNOR型闪存器件及其制备方法”专利获授权
1 周前
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来源：集微网
上海华虹宏力取得ETOX NOR型闪存器件及其制备方法专利，通过填充牺牲氧化层避免光刻胶残留，改善器件性能，利于存储单元尺寸微缩集成。
天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“ETOXNOR型闪存器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN119947104B，授权公告日为2025年9月26日，申请日为2025年1月14日。
本申请提供一种ETOX NOR型闪存器件及其制备方法，其中制备方法中，在控制栅材料层上形成盖帽层，然后形成第一深沟槽和第二深沟槽，并在第一深沟槽和第二深沟槽中填充牺牲氧化层，并平坦化牺牲氧化层，接着刻蚀第一深沟槽中的牺牲氧化层并通过离子注入工艺形成源线离子注入区；接着在第一深沟槽中填充源线材料层，本申请采用牺牲氧化层填充第一深沟槽，避免了传统SAS工艺中在深沟槽侧壁上残留光刻胶后续对器件性能造成不良影响的情形，改善了器件性能，也有利于存储单元的尺寸进一步微缩集成。
