搜索
敏芯股份“一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构”专利获授权
1 周前
/ 阅读约2分钟
来源：集微网
苏州敏芯微电子取得MEMS结构形成方法及MEMS结构专利，通过特定技术特征设置，提高第二振膜支撑的稳定性和可靠性，并简化制作工艺。
天眼查显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司近日取得一项名为“一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构”的专利，授权公告号为CN120440833B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2025年7月9日。
本申请公开了一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构。所述方法包括：提供第一衬底；形成功能层，功能层包括位于第一面的第一牺牲层、位于第一牺牲层表面的第一振膜、位于第一振膜表面的第二牺牲层、位于第二牺牲层表面的背极板和位于第二牺牲层、背极板表面的第三牺牲层；刻蚀第三牺牲层和第二牺牲层，在功能层内形成暴露出第一振膜的凹槽；在凹槽内和位于凹槽周围的部分第三牺牲层表面形成支撑结构；去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层，在功能层内形成暴露出部分第一振膜、背极板和支撑结构的空腔；在支撑结构远离第一衬底一侧形成第二振膜。通过上述技术特征的设置，能够提高对第二振膜支撑的稳定性和可靠性，并简化制作工艺。
