【头条】安世之乱!芯片断供爆发停产;天玑9500+X300 Pro:唯捷创芯Phase7LE+首秀封神;长鑫存储发布LPDDR5X
1 周前 / 阅读约29分钟
来源:集微网
长鑫存储发布LPDDR5X,速率达10667Mbps;唯捷创芯Phase7LE+首秀封神;黄仁勋警告英伟达失去中国市场对美伤害大;闻泰科技要求荷兰归还安世半导体控制权;美创企Substrate研发新型光刻机;英伟达市值破5万亿;通用汽车裁员超3300人;安世半导体断供致全球车企停产。

1.长鑫存储官宣发布LPDDR5X!速率登顶10667Mbps

2.天玑9500+X300 Pro:唯捷创芯Phase7LE+首秀封神

3.黄仁勋警告:英伟达失去中国市场,对美国伤害更大

4.闻泰科技声明,要求荷兰政府归还安世半导体控制权

5.估值超10亿美元!美创企Substrate研发新型光刻机!突破12nm图案化

6.刚刚,英伟达市值破5万亿 创历史新高超多国股市

7.通用汽车宣布美国工厂裁员超3300人

8.安世之乱!全球汽车制造商面临芯片断供、工厂停产


1.长鑫存储官宣发布LPDDR5X!速率登顶10667Mbps

据长鑫存储官方网站信息更新,长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品,最高速率达到10667Mbps。据官网产品信息介绍,“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计,长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps ,达到国际主流水平,较上一代LPDDR5提升了66%,同时可以兼容LPDDR5,功耗则比LPDDR5降低了30%。“

基于上述信息,长鑫存储的LPDDR5X产品速率已覆盖8533Mbps至10667Mbps,其中10667Mbps速率实现国内首次技术突破,直接跻身业界先进水平

重大突破!国产长鑫LPDDR5X首次登顶10667Mbps速率

根据官网信息和行业消息,目前长鑫存储LPDDR5X的产品包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps,同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产,10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。

值得注意的是速率覆盖至10667Mbps这一业界先进水准——这一速率与SK海力士去年10月量产的同规格产品完全对标,短短一年后国产长鑫LPDDR5X就在该速率级别实现首次技术突破,意义重大! 同时,LPDDR5X可以兼容LPDDR5,功耗则比LPDDR5降低了30%,在追求“高频低耗“的主流市场方向上进一步领跑。

从技术与产业价值来看,10667Mbps速率的突破堪称“解渴”。当前端侧AI应用爆发,内存带宽已成为制约设备性能的关键瓶颈——实测数据显示,搭载10.7Gbps(即上述10667Mbps)速率内存的设备,运行Llama 2等大型语言模型时,响应速度、语音转译等任务效率都大大提升。对旗舰手机而言,这一速率可轻松支撑8K视频连拍、高帧率游戏多开等高频场景,解决了此前国产终端完全依赖韩系内存才能实现极致性能的痛点。

首创uPoP®小型封装 在研封装创新或挑战0.58mm极致薄度

据官网信息,“长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP®小型封装,满足移动旗舰手机更轻更薄的需求,以超强性能优化使用体验,助力设备突破性能瓶颈,开启移动智能新体验。”

封装技术的创新尝试也从侧面印证了长鑫存储在上周ASICON闭幕演讲上分享的产品研发重大进展:正在研发一款厚度仅为0.58mm的LPDDR5X,如果这款产品成功量产,将会是业内最薄的LPDDR5X产品。

据悉,长鑫存储目前正在开发的HiTPoP封装技术严格遵循JEDEC制定的焊球布局标准,确保与现有主板设计兼容,但通过减薄技术,有望改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。这一技术如果成功量产,无疑会助力国产LPDDR5X继续突破性能瓶颈。

结合行业对超薄封装的技术探索(如三星0.65mm封装、美光0.61mm封装),长鑫存储此次在高速率基础上的技术布局,还能契合终端设备“轻薄化”需求。更薄的封装可节省主板空间,为手机塞进更大容量电池、多摄模组创造条件,同时提升散热效率,避免高负载下的性能降频。

对标国际先进水平,LPDDR5X发布或加速产业化进程

从行业演进角度看,这一进展体现长鑫在产品化节奏上的提升。JEDEC于2023年7月发布LPDDR5X标准后,三星、SK海力士等厂商已在2024年实现相关产品的量产,而长鑫快速跟进仅在一年后即推出10667Mbps的顶配速率,更通过12GB至32GB的多容量布局寻求差异化竞争——尤其是24GB、32GB大容量版本,刚好匹配AI手机、智能座舱等场景对大内存的需求。

行业人士分析,“长鑫新推出的LPDDR5X登顶10667Mbps速率的突破已标志着国产存储从‘能造’向‘造好’迈进,随着产能提升,有望快速实现全品类产品量产。”长鑫存储此次推出LPDDR5X不仅进一步完善了其产品线,更表明国产LPDDR5X内存在实现产业化推进的同时,在核心性能上完成了与国际巨头的“对齐”,产业化进程已进入新的阶段。

2.天玑9500+X300 Pro:唯捷创芯Phase7LE+首秀封神

全球5G智能手机市场的竞争,本质上是核心供应链之间综合实力的较量。在众多关键器件中,射频前端作为智能手机通信功能的核心枢纽,直接决定设备的信号接收质量、传输稳定性与整体通信能效,是影响用户体验的关键组件之一。其中,L-PAMiD作为集成低噪声放大器、功率放大器、开关、滤波器等模块的射频前端模组,因其超高集成度、复杂电路设计以及严苛性能要求,成为射频前端领域技术壁垒最高的细分品类之一。

长期以来,高端L-PAMiD市场主要由国际厂商主导,其在技术积累、供应链体系和客户验证方面形成的多重壁垒,使该领域成为国产化替代进程中必须攻克的关键环节。

近日,唯捷创芯凭借其推出的Phase7LE+系列产品(VC8095-88/VC8091-88),率先在联发科天玑9500旗舰平台完成Sub3G射频参考设计的全面验证,成为在该平台首款通过认证的国产L-PAMiD解决方案。

里程碑式战略意义

此次进入天玑9500旗舰平台的参考设计清单,对唯捷创芯而言具有里程碑式的战略意义。在品牌层面,标志着唯捷创芯的技术实力与产品可靠性已获得全球主流芯片平台的权威认可,有力扭转了国产射频前端难以进入高端市场的传统认知。Phase7LE+的验证通过,不仅推动了唯捷创芯品牌定位的全面升级,也显著提升了其在全球射频前端领域的话语权与影响力,同时为国产射频芯片树立了新的技术标杆。

在市场层面,唯捷创芯借此打通了进入高端手机供应链的核心通道。天玑9500作为联发科的最新旗舰移动平台,将被广泛应用于安卓手机的高端机型。Phase7LE+入选其官方参考设计,意味着唯捷创芯无需重复进行平台级验证,即可直接对接终端客户进行产品适配,大幅缩短了产品上市周期。

对终端手机厂商而言,Phase7LE+的出现填补了国产高端L-PAMiD方案的空白,首次为其提供了兼具高性能与高可靠性的本土化优选方案,进一步推动国产旗舰手机在核心器件层面的自主化进程,加速整个手机产业链向核心元器件国产化的目标迈进。

唯捷创芯正式跻身高端射频前端主赛道,也为其后续拓展全球市场、深化与芯片平台及终端品牌的战略合作奠定了坚实基础,推动公司实现从中低端覆盖向高端全面渗透的战略转型。

产品性能亮点突出

此次突破的核心,源于唯捷创芯在技术研发上的长期深耕。目前,Phase7LE+系列产品性能已看齐国际一线厂商水平,部分关键指标实现超越,尤其在输出功率与能效表现上形成差异化优势。

功率指标位列国际主流产品前列,直接决定信号覆盖范围与抗干扰能力,可有效保障复杂环境下的信号连接可靠性。

而PA能效的优化更直接惠及终端用户,通过减少无效能耗,在维持强信号连接的同时,显著降低设备耗电量,为手机等终端带来实打实的续航提升。

产品迭代向全球频段、小型化及性能跃升

在产品线规划上,唯捷创芯针对下一代L-PAMiD产品,明确三大核心研发方向,通过全维度的技术优化打造更具市场竞争力的产品解决方案。

一是全球频段集成升级,聚焦国际市场的多区域网络适配需求,下一代产品将进一步扩充频段覆盖范围,全面兼容全球主流运营商的5G/5.5G网络频段,同时优化多频段切换的流畅性与稳定性。这一升级将打破区域频段限制,让终端产品无需针对不同市场进行差异化适配,大幅降低手机厂商的全球化布局成本,助力唯捷创芯进一步拓展海外高端市场份额。

二是封装工艺小型化突破,依托先进的芯片集成技术与封装工艺创新,公司计划进一步提升模组集成度,实现产品形态的极致精简。通过优化电路设计、采用高密度封装方案,下一代L-PAMiD产品的整体面积预计将减少50%以上,在保持核心性能不打折的前提下,为手机终端的内部空间规划提供更大灵活性。这一突破将直接适配高端旗舰机“轻薄化”“一体化”的设计趋势,同时降低终端产品的散热压力与功耗损耗。

三是核心性能指标跃升,针对不同通信场景的功率需求,公司设定了明确的功率提升目标,同时,通过优化功率放大器的电路拓扑与材料选型,产品能效比将进一步提升,在高功率输出场景下有效降低功耗,助力终端产品延长续航时间。

在深耕当前5G/5.5G射频前端技术的同时,唯捷创芯也已启动面向6G时代的先行技术布局。公司组建专项研发团队,聚焦6G通信所需的射频器件、超大规模天线阵列适配技术、低时延高可靠射频解决方案等核心方向,开展基础材料、关键工艺与系统集成的前瞻性研究。目前,公司已在部分前瞻技术方向取得阶段性突破,为后续6G射频前端产品的研发奠定了坚实基础。

总结

未来3~5年,全球高端射频前端市场正迎来历史性国产替代机遇。地缘政治变局下,国内终端品牌加速推进供应链自主可控,核心器件国产化需求迫切,为具备技术实力的本土企业开辟了广阔市场空间。

与此同时,国际厂商受全球产能分配、成本压力及区域战略调整等因素制约,在中国高端市场的份额逐步收缩,释放的市场空间为国内厂商创造了宝贵的承接契机。

另一方面,随着5G的持续普及、5.5G的商用落地以及6G的前瞻布局,持续推动高端旗舰机型对射频前端的性能升级。终端厂商对射频器件的集成度、功耗控制、抗干扰性等指标要求日益严苛,而具备自主研发实力与快速响应能力的国内企业,更能精准匹配客户定制化需求,有效缩短进口替代周期。

在此背景下,唯捷创芯凭借在L-PAMiD等高壁垒产品上的关键技术突破,已在特定赛道实现对国内同行的领跑,并初步具备与国际巨头同台竞技的资格。未来几年的国产替代窗口期,将成为其把技术领先优势转化为市场份额的关键阶段。

3.黄仁勋警告:英伟达失去中国市场,对美国伤害更大

英伟达CEO黄仁勋在华盛顿举行的GTC开发者大会后表示,如果英伟达继续被排除在中国市场之外,这对美国造成的损害将大于对中国的损害。

近年来,美国政府一直在收紧英伟达和其他公司向中国出口先进人工智能(AI)芯片以及芯片制造工具的限制。黄仁勋表示,他希望特朗普政府能够看到这些政策将对美国造成的伤害。

“我们想要与中国竞争,这一点毋庸置疑。我们希望美国赢得这场AI竞赛,这一点也毋庸置疑……但我们也需要进入中国市场,才能赢得他们的开发者。一项导致美国失去全球一半AI开发者的政策,从长远来看是不利的。”黄仁勋说道。

今年9月,特朗普政府与英伟达达成收益分成协议,允许其对华出口H20芯片。中国调查英伟达违反反垄断法。黄仁勋表示,自那以后,英伟达在中国的市场份额已从95%暴跌至0。

黄仁勋表示,特朗普政府正在制定新的法规,允许政府从英伟达在华销售中抽取15%的提成,而中国尚未决定是否允许英伟达芯片重返中国市场。“我们的工作就是等到他们希望我们回归中国市场。”黄仁勋说道。

他还补充道,随着英伟达撤出中国市场,中国本土芯片制造商的股价大幅上涨,希望美国政府迅速采取行动,允许英伟达重返中国市场。

英伟达称中国“是一个拥有强大技术实力的国家,并且拥有强大制造业实力。他们不会坐等我们。”

但即使没有中国,英伟达也已经预见2026年的强劲需求。

黄仁勋表示,公司预计到2026年将从Blackwell和“Rubin”(英伟达下一代计算平台)的早期研发投入中获得5000亿美元的收入,“这还不包括中国及其他亚洲地区,所以这只是西方国家”。

英伟达已与台积电在美国开始量产其最先进的Blackwell AI芯片。黄仁勋表示,英伟达和台积电将在“未来几个月”将CoWoS芯片封装技术引入其位于亚利桑那州的晶圆厂。

与此同时,黄仁勋也对AI时代各国家/地区之间的人才争夺战发出警告。

“美国有可能落后于中国吗?答案是肯定的,原因在于全球50%的AI研究人员都是中国人。”他在问答环节说道,“至关重要的是,美国要继续成为移民想要来到这里接受教育、留下来发展事业、构建生活的国家。”

特朗普政府一直在严厉打击非法移民,同时通过收紧H-1B工作签证和永久居留权的规则,加大了外国高科技人才在美国的居留难度。

黄仁勋此前曾表示,在特朗普政府宣布引进外国高技能人才的额外费用后,公司将为所有员工支付10万美元的H-1B签证费。

4.闻泰科技声明,要求荷兰政府归还安世半导体控制权

中国公司闻泰科技旗下的芯片制造商安世半导体(Nexperia)近日与荷兰政府就公司控制权展开激烈争斗。根据闻泰科技向荷兰国家广播公司(NOS)提交的声明,该公司要求荷兰政府撤销对其子公司的控制权。

荷兰政府于一个月前首次动用1952年的一项法律,接管了这家中荷合资企业。自9月30日起,荷兰经济事务部代理部长Vincent Karremans有权阻止安世半导体的重大决策,尤其是那些可能威胁公司未来或危及欧洲芯片生产的决策。

闻泰科技称荷兰政府的这一举措“前所未有”,并要求予以撤销。这是闻泰科技首次对Karremans的决策作出回应。此前,安世半导体的中国分公司已发表声明,表明不再听从荷兰总部的指令。

荷兰经济事务部发言人表示,目前正与中国进行谈判,但拒绝透露可能的谈判结果。作为对荷兰政府干预的回应,中国方面已暂停安世半导体芯片的出口。由于安世半导体的大部分芯片产自中国工厂,出口禁令导致欧洲尤其是德国汽车行业面临严重的芯片短缺风险。

Karremans的决策及中国的反制措施引发了全球芯片供应的巨大危机。中国商务部长上周表示,荷兰需提出“解决方案”以确保全球芯片供应不受影响。

安世半导体主要生产用于汽车和电子设备的简单芯片,其总部位于奈梅亨,但芯片生产分布在欧洲和亚洲。德国和英国的工厂负责生产晶圆,而芯片的切割及封装主要在中国工厂进行。

闻泰科技在声明中警告称,若安世半导体失去中国分支,将注定失败,因为这将导致其大部分芯片生产能力丧失,这是“欧洲短期内无法弥补的损失”。

5.估值超10亿美元!美创企Substrate研发新型光刻机!突破12nm图案化

美国小型初创公司Substrate表示,该公司已开发出一种芯片制造设备,其性能足以媲美目前最先进的光刻机设备。

Substrate CEO James Proud表示,这款工具是该公司雄心勃勃的计划的第一步,该计划旨在建立美国芯片代工制造业务,与台积电在最先进的人工智能(AI)芯片制造领域展开竞争。James Proud希望通过以远低于竞争对手的价格生产所需工具来大幅降低芯片制造成本。

James Proud表示:“我们的首要目标是能够在美国以最低的价格大批量生产出最好的晶圆。”他表示,业内许多人认为这不可能实现,“但我认为历史经验告诉我们,这种想法是错误的。”Substrate希望在美国建立一家代工厂,生产定制半导体。James Proud表示,根据目前计划,其设备可能在未来“几年”内在美国的一家芯片制造厂(或称晶圆厂)投入生产。

如果该公司成功,将对美国的经济和国家安全产生深远影响。美国总统唐纳德·特朗普已将芯片制造业务回归美国作为其计划的关键组成部分,美国政府最近收购英特尔的股份。英特尔曾是领先的芯片制造商,但近年来在制造技术方面难以跟上台积电的步伐。

Substrate公司表示,已吸引包括中央情报局支持的非营利机构In-Q-Tel、General Catalyst、Allen & Co、Long Journey Ventures和Valor Equity Partners在内的多家投资机构,融资1亿美元,估值超过10亿美元。

然而,Substrate公司所追求的目标十分艰巨。

光刻技术是一项即使是大型公司也难以企及的工程壮举,它需要极高的精度。ASML是全球唯一一家能够大规模生产复杂工具的公司,这些工具利用极紫外(EUV)光刻技术,以极高的吞吐量在硅晶圆上生成图案。

Substrate旨在对EUV光刻方法进行改进。尽管这家初创公司出于竞争原因不愿透露细节,但该公司设备使用粒子加速器从波长较短的X射线中产生光源。这种方法可以产生更窄的光束。

Substrate声称其设备能够打印12nm尺寸图案,与High NA EUV设备相当。这意味着这家初创公司的设备能够与目前最先进的生产线相媲美。Substrate表示,它不使用任何外部生产的光刻工具或知识产权,并且“已经建立了与任何其他半导体公司没有重叠的差异化技术”。而目前全球顶级High NA EUV光刻机单价超过4亿美元。

该公司称,已在美国国家实验室和其位于旧金山的工厂进行了演示。该公司提供了高分辨率图像,展示了Substrate设备的性能。

大幅降低制造成本

“这对美国来说是一个凭借本土公司重夺市场份额的机会,”橡树岭国家实验室主任、高能X射线束专家Stephen Streiffer表示,“这是一项具有国家重要意义的工作,他们知道自己在做什么。”

SemiAnalysis分析师Jeff Koch表示,如果Substrate成功实现大幅降低芯片制造成本的计划,很可能会产生连锁效应,就像SpaceX降低火箭发射成本的努力推动太空旅行的发展一样。

但Substrate公司工程师和高管距离实现目标还有很长的路要走。Jeff Koch说:“他们坚信,在自主研发芯片工艺的过程中,首先要解决的是光刻技术问题。最终,这将取代台积电等巨头。”

开发一种能够与台积电相媲美的先进芯片制造工艺需要数十亿美元,即使是英特尔和三星等公司也一直在努力完善这项技术。如今,芯片工厂的建设成本超过150亿美元,而且需要专门的技术进行建设和运营。

James Proud表示,该公司尚未直接获得政府资助,但包括美国商务部部长卢特尼克等在内的美国官员一直对Substrate的工作很感兴趣。

James Proud和Substrate的投资者组建了约50人的团队,由来自学术界和半导体领域的顶尖人才组成。其中包括20世纪80年代初在劳伦斯利弗莫尔国家实验室、劳伦斯伯克利国家实验室和桑迪亚国家实验室等国家实验室从事EUV技术开发的研究人员和顾问。

Substrate成立于2022年,但James Proud在此之前就已经开始着手构思。该公司的名称指的是支撑晶体管和集成电路的薄硅基——这对现代电子产品的性能和效率至关重要。

伯恩斯坦分析师David Dai在一份报告中表示,Substrate此前曾尝试过X射线技术,但收效甚微。此外,他还表示,该公司缺乏行业支持。

“如果初创公司真的相信自己的技术,我们认为唯一可行的方法就是围绕它构建生态系统,并让整个行业共同努力。”David Dai说道,“然而,它选择了与ASML和台积电竞争,这扼杀了任何建立生态系统来支持这项技术的可能性。”

6.刚刚,英伟达市值破5万亿 创历史新高超多国股市

10月29日晚,美股三大指数集体高开,其中人工智能芯片制造商英伟达公司股价开盘上涨3.2%,市值首次突破5万亿美元大关,成为史上第一家市值跨越这一里程碑的上市公司。

英伟达此次市值从4万亿美元跃升至5万亿美元,仅用时113天,而此前从3万亿到4万亿的跨越则耗时410天。这一市值规模已超过英国、法国、德国等国家的股市总市值,逼近印度股市总价值(5.3万亿美元)。自今年4月低点以来,英伟达股价反弹超过135%,市值增加了2.9万亿美元,年内累计涨幅达54%。

在此次市值突破之际,英伟达于10月29日凌晨在美国首都举办了GTC大会。公司CEO黄仁勋在会上发表了广泛涉猎的演讲,涵盖6G、量子计算、物理AI和机器人、核聚变、自动驾驶等多个前沿领域。黄仁勋表示,Blackwell及更新一代的Rubin芯片正推动公司进入前所未有的销售增长周期,并反驳了有关人工智能市场出现泡沫的担忧。

黄仁勋还透露,公司最新一代芯片有望在未来几个季度创造高达5000亿美元的收入。华尔街金融巨头高盛的最新研报指出,这一目标显著高于华尔街预期。高盛分析团队表示,5000亿美元的规模比市场通过Visible Alpha Consensus Data反映的4470亿美元共识高出12%,同时也比高盛自身预测的4530亿美元高出10%。

7.通用汽车宣布美国工厂裁员超3300人

由于电动汽车普及速度放缓,通用汽车正在其电动汽车和电池工厂裁减数千名工人。

通用汽车正在裁减数千名由美国汽车工人联合会(UAW)代表的电动汽车和电池生产工厂的工人。此前,由于联邦补贴结束和部分排放法规取消,通用汽车正在缩减其在电动汽车领域的投入。

通用汽车计划从2026年1月开始,在其位于密歇根州、俄亥俄州和田纳西州的工厂裁减超过3300名小时工。其中,超过1700人将被无限期解雇,而超过1500人预计将于2026年中期被召回。

这家汽车制造商表示,其与LG能源解决方案公司在俄亥俄州和田纳西州共同拥有的电池工厂将于1月5日起停产,并计划于2026年中期恢复生产。

通用汽车还将位于底特律的电动汽车组装厂约1200名员工(该厂共有3400名员工)无限期停工。

这家底特律电动汽车工厂通常实行两班制,目前已停产至11月24日。从2026年开始,该厂将实行单班制。该工厂生产通用汽车更大、更昂贵的电动汽车,包括雪佛兰Silverado、GMC Sierra、凯迪拉克Escalade IQ和GMC Hummer车型。

通用汽车并非唯一一家缩减电动汽车计划的公司。福特汽车正将生产电动版F-150 Lightning的工厂工人转移到附近一家生产更受欢迎、利润更高的汽油版F-150 Lightning的工厂。日产已决定不再将Ariya电动车作为2026款车型推出,而本田也已停止接受通用汽车代工生产的讴歌ZDX电动车的订单。

通用汽车表示:“鉴于近期电动汽车普及速度放缓以及监管环境不断变化,公司正在调整电动汽车产能。”

通用汽车首席执行官Mary Barra曾表示,即便公司正努力在短期内削减产量,电动汽车仍然是公司的“北极星”。

通用汽车拥有最丰富的电动汽车产品线,目前市场上约有十几款车型。该公司此前曾表示,提高销量是其实现电动汽车盈利战略的关键组成部分。

然而,近来这家汽车制造商一直在收紧电动汽车业务,以控制亏损。

通用汽车第三季度计提16亿美元的特别费用,用于弥补其电动汽车业务的下滑。这笔费用包括一些搁浅成本,例如为密歇根州一家工厂购置的模具——该公司原本计划在该工厂生产电动汽车,但后来决定转而组装汽油动力卡车和SUV。此外,该公司还将计提另一项费用,用于弥补其在加拿大停止生产电动BrightDrop商用货车造成的损失。

大众汽车美国公司首席执行官Kjell Gruner表示,7500美元的税收抵免政策的结束揭示了美国市场对电动汽车的“真实需求”。该公司已暂停其位于田纳西州查塔努加工厂的ID.4电动SUV的生产,但尚未透露何时恢复电动汽车的生产。

“我们将继续开发面向未来的新型电动汽车平台,但我们需要在今年剩余时间和明年保持灵活性,”Kjell Gruner表示。

8.安世之乱!全球汽车制造商面临芯片断供、工厂停产

全球汽车制造商正争相寻找芯片,并向供应商确认库存是否充足。与荷兰公司Nexperia(安世半导体)相关的半导体供应危机日益加剧,威胁着整个行业的汽车生产。

今年9月,荷兰政府接管了芯片制造商Nexperia,随后中国商务部禁止Nexperia产品从中国出口。荷兰政府此举是出于对Nexperia技术可能被转移至其中国母公司闻泰科技的担忧。美国已将闻泰科技列为潜在的国家安全风险。

欧洲汽车制造商就Nexperia芯片短缺发出警告

周三,欧洲汽车制造商协会警告称,与Nexperia相关的芯片短缺将立即扰乱汽车工厂的生产计划。该协会表示:“目前,汽车行业正在消耗储备库存,但供应正在迅速减少”,而替代供应商需要数月时间才能建立起库存。

欧洲汽车制造商协会表示,各公司一直在依靠日益减少的储备来维持工厂运转,一些公司已经开始为停产做准备。短缺的根源在于,Nexperia在中国生产的零部件出口被冻结,导致用于车辆控制单元的简单但不可或缺的半导体供应中断。

欧洲汽车制造商协会总干事Sigrid de Vries表示:“争端各方都在努力寻求外交解决方案。与此同时,我们的成员告诉我们,由于零部件短缺,供应已经开始中断。这意味着装配线停工可能就在几天之内。”

梅赛德斯-奔驰等汽车制造商正努力应对不确定的供应形势。

梅赛德斯-奔驰寻求替代供应商

“毋庸置疑,我们正在全球范围内寻找替代方案,”梅赛德斯-奔驰首席执行官Ola Kaellenius表示,并补充说,这家德国汽车制造商短期内已做好准备。Ola Kaellenius指出,这与上次芯片危机不同,因为这次的问题根源在于地缘政治,需要通过谈判途径解决。

这也提醒人们,全球供应链使制造商容易受到全球贸易摩擦的影响。

“在一辆现代高科技汽车中,几乎囊括了五大洲的零部件,”Ola Kaellenius说道。

咨询公司亚瑟·D·利特尔的合伙人Klaus Schmitz表示,汽车制造商正在考虑停产或使用替代零部件来应对短缺。

但最终,企业和政府都希望与中国坐下来寻求解决方案。

“可以肯定的是,企业现在将与中国进行谈判。各国政府也在与中国进行谈判,其中最引人注目的是美国,”Klaus Schmitz说道。“实际影响还有待观察,但很可能情况相当危急。”

削减北美产量,本田暂停墨西哥工厂的生产

由于关键半导体短缺,本田汽车公司正在削减或暂停其部分北美工厂的生产,而这种短缺有可能蔓延至整个汽车供应链。

该公司发言人表示,这家汽车制造商已于本周起暂时调整部分未指明车辆组装厂的产量,但并未估计这些调整将持续多久。

芯片制造商Nexperia上周通知日本汽车客户,可能无法再保证供货。

供应链消息称,本田位于加拿大的工厂已将其生产思域紧凑型轿车和CR-V SUV的产量减半。另外,本田位于墨西哥的另一家生产HR-V紧凑型SUV的工厂已于周二停产。

本田在其部分零部件中使用了Nexperia公司生产的标准半导体,这些零部件由其商业伙伴提供。这家汽车制造商表示,他们正在“尽一切努力将短缺的影响降到最低”,并补充说,墨西哥另一家工厂的摩托车生产不受影响。

日产:芯片库存足以维持到11月第一周

“这是一个大问题,”日产首席绩效官Guillaume Cartier表示,“目前我们还无法完全了解情况。”

Guillaume Cartier表示,就芯片供应而言,这家汽车制造商“到11月第一周都还能应付”。

他指出,即使汽车制造商从疫情期间的芯片短缺中吸取了教训并囤积了芯片,他们仍然受制于包括小型供应商在内的供应商。他表示,虽然可以了解其最大的“一级”供应商的供应情况,但越往下游供应链,情况就越难掌握。

挣扎中的行业面临新的挑战

据巴西政府官员称,如果危机持续下去,巴西的一些制造商可能不得不在两到三周内停产。

Nexperia的芯片广泛应用于汽车零部件,因此,此次供应短缺对本已面临美国关税和中国稀土出口限制的汽车行业来说,无疑是雪上加霜。

美国电动汽车制造商Lucid集团首席执行官Marc Winterhoff表示,公司工程团队一直在寻找替代供应方案,生产计划受到的影响已被推迟。他表示:“情况正朝着正确的方向发展。”

通用汽车发言人表示,该公司正在处理这一问题,工厂产量并未受到影响。