1.华虹宏力“ETOXNOR型闪存器件及其制备方法”专利获授权

2.中欣晶圆“硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法”专利获授权

3.新华三“报文传输方法、芯片、网络系统及电子设备”专利获授权

4.飞骧科技“射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备”专利获授权

5.敏芯股份“一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构”专利获授权

1.华虹宏力“ETOXNOR型闪存器件及其制备方法”专利获授权

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“ETOXNOR型闪存器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN119947104B，授权公告日为2025年9月26日，申请日为2025年1月14日。

本申请提供一种ETOX NOR型闪存器件及其制备方法，其中制备方法中，在控制栅材料层上形成盖帽层，然后形成第一深沟槽和第二深沟槽，并在第一深沟槽和第二深沟槽中填充牺牲氧化层，并平坦化牺牲氧化层，接着刻蚀第一深沟槽中的牺牲氧化层并通过离子注入工艺形成源线离子注入区；接着在第一深沟槽中填充源线材料层，本申请采用牺牲氧化层填充第一深沟槽，避免了传统SAS工艺中在深沟槽侧壁上残留光刻胶后续对器件性能造成不良影响的情形，改善了器件性能，也有利于存储单元的尺寸进一步微缩集成。

2.中欣晶圆“硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法”专利获授权

天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近日取得一项名为“硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法”的专利，授权公告号为CN119175599B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2024年8月20日。

本发明涉及一种硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法，所属硅片加工技术领域，包括先对椭圆形硅片进行多角度直径测量，根据多根直径数据计算出圆心所在的位置，然后重新设定倒角加工承载台的圆心的坐标，增加圆心坐标则定位缺口位置加工量增加，降低圆心坐标定位缺口位置加工量减小。根据定位缺口深度计算出偏心加工量，设置各项直径补偿进给量，然后硅片将按不同直径方向进给量进入倒角砂轮沟槽加工，最终形成纯圆形貌。具有操作便捷和加工稳定性好优点。解决了硅片辊磨过程出现椭圆的问题。通过在硅片倒角加工前增加外型测量，并根据定位缺口位置直径数据与短边直径数据对比计算，然后根据目标值修正长边直径去除量，从而达到硅片整圆过程。

3.新华三“报文传输方法、芯片、网络系统及电子设备”专利获授权

天眼查显示，新华三技术有限公司近日取得一项名为“报文传输方法、芯片、网络系统及电子设备”的专利，授权公告号为CN119696879B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2024年12月11日。

本公开提出一种报文传输方法、芯片、网络系统及电子设备，涉及通信技术领域。该方法包括：第一网络设备通过第一端口接收第二网络设备发送的MACSec协议，第二网络设备是和第一网络设备建立物理连接的网络设备；若确定所述第一端口未配置MACSec协议，将所述第一端口的端口状态配置为阻塞block状态；响应于通过所述第一端口发送报文的请求，若确定所述报文是MACSec协议报文，通过所述第一端口将所述报文发送到所述第二网络设备，所述MACSec协议报文是指符合MACSec协议但不包含MACSec安全标签的报文。本公开实施例，通过将未配置MACSec协议的第一端口配置为block状态，能够在确保MACSec协议报文可以被有效传输的情况下，有效的阻止业务报文的转发，从而有利于改善业务报文丢失的情况。

4.飞骧科技“射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备”专利获授权

天眼查显示，深圳飞骧科技股份有限公司近日取得一项名为“射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备”的专利，授权公告号为CN119416737B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2025年1月3日。

本发明涉及一种射频前端模组散热优化方法、系统及相关设备，所述方法包括：获取射频前端模组中的功率放大器的版图布局；根据所述功率放大器的热性能，将所述版图布局连续划分为多个温度区域；获取所述功率放大器中的晶体管之间的原始间距；根据所述原始间距，重新获取不同所述温度区域中的晶体管之间的晶体管优化间距；根据所述晶体管优化间距，对所述功率放大器的晶体管进行重新布局，得到优化版图布局；根据所述优化版图布局获取优化后的散热优化射频前端模组。本发明通过对功率放大器中晶体管的布局进行调整，使发热较大的晶体管之间的间距得到扩大，利于提高射频前端模组的射频性能。

5.敏芯股份“一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构”专利获授权

天眼查显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司近日取得一项名为“一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构”的专利，授权公告号为CN120440833B，授权公告日为2025年9月23日，申请日为2025年7月9日。

本申请公开了一种MEMS结构的形成方法以及MEMS结构。所述方法包括：提供第一衬底；形成功能层，功能层包括位于第一面的第一牺牲层、位于第一牺牲层表面的第一振膜、位于第一振膜表面的第二牺牲层、位于第二牺牲层表面的背极板和位于第二牺牲层、背极板表面的第三牺牲层；刻蚀第三牺牲层和第二牺牲层，在功能层内形成暴露出第一振膜的凹槽；在凹槽内和位于凹槽周围的部分第三牺牲层表面形成支撑结构；去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层，在功能层内形成暴露出部分第一振膜、背极板和支撑结构的空腔；在支撑结构远离第一衬底一侧形成第二振膜。通过上述技术特征的设置，能够提高对第二振膜支撑的稳定性和可靠性，并简化制作工艺。