1.智芯微“缓存行替换方法、装置、芯片及电子设备”专利获授权；

2.宁德时代“充电异常的检测方法、装置及存储介质”专利获授权；

3.鑫晟光电“一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法”专利获授权；

1.智芯微“缓存行替换方法、装置、芯片及电子设备”专利获授权；

天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司近日取得一项名为“缓存行替换方法、装置、芯片及电子设备”的专利，授权公告号为CN120803979B，授权公告日为2026年1月6日，申请日为2025年9月12日。

本公开涉及人工智能芯片和存储管理技术领域，具体涉及一种缓存行替换方法、装置、芯片及电子设备。该方法应用于含数据缓存的芯片，数据缓存包含已存储数据的N个缓存行，基于PLRU算法中包含N‑1个节点的二叉树结构对每个缓存行对应访问路径进行管理，响应于数据替换指令，获取各缓存行对应访问路径上由根节点至叶子节点的路径状态位；针对指定缓存行，根据路径状态位计算PLRU路径值，结合已存储数据的重要性等级及对应权重，计算替换评分；根据替换评分确定可替换缓存行；将待缓存数据及其重要性等级存入可替换缓存行，替换原有数据及等级。由此通过结合PLRU路径值和已存储数据的重要性等级评估缓存行替换优先级，有效提升了缓存命中率，优化了系统性能。

2.宁德时代“充电异常的检测方法、装置及存储介质”专利获授权；

天眼查显示，宁德时代新能源科技股份有限公司近日取得一项名为“充电异常的检测方法、装置及存储介质”的专利，授权公告号为CN116324442B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2021年4月1日。

本申请实施例提供一种充电异常的检测方法、装置及存储介质，属于电池充电技术领域。本申请根据第k次充电中第i充电阶段结束时刻至第i+1充电阶段结束时刻间第一电芯的连续n个采样电压，确定n个采样电压中的第一最小电压对应的第一采样时刻。基于上述相同的方式可以确定前k‑1次中任一次充电过程的第二最小电压对应的第二采样时刻。然后根据第一最小电压和第二最小电压，确定第k次充电异常，或者，根据第k次充电过程中第一采样时刻之后的第一时段内采样电压的变化率和前k‑1次中任一次充电过程中第二采样时刻之后的第二时段内采样电压的变化率，确定第k次充电异常，检测充电异常的准确率较高，能有效降低误判率。

3.鑫晟光电“一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法”专利获授权；

天眼查显示，合肥鑫晟光电科技有限公司近日取得一项名为“一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法”的专利，授权公告号为CN116193920B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2023年1月5日。

本发明公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术的显示面板中存在像素区易产生暗点不良的问题。所述显示面板，包括位于衬底基板一侧的多个像素区，以及位于至少部分所述像素区一侧的阻断区；所述像素区以及所述阻断区具有依次位于所述衬底基板一侧的辅助电极，第一电极结构，发光层，以及第二电极结构；其中，所述第一电极结构在所述阻断区阻断所述发光层，以使所述第二电极结构在所述发光层断开处与所述辅助电极搭接；所述阻断区的所述第一电极结构的厚度大于所述像素区的所述第一电极结构的厚度。