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日本拟减产WF6产量，韩国芯片厂面临断供风险
5 小时前
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来源：集微网
因中国对钨出口管制，日本供应商面临原材料获取困难，计划下半年削减六氟化钨产量，并通报韩国芯片制造商潜在供应中断风险。三星面临更大风险，部分企业正推进韩国本土WF6认证。
在与伊朗相关的地缘紧张局势引发对氦气等半导体材料供应担忧之际，业内人士表示，六氟化钨（WF6）正构成更为紧迫的风险，“氦气可以来自美国或俄罗斯，而钨只能来自中国。”
由于中国对钨进行出口管制，日本供应商（约占全球WF6供应的25%）正面临原材料获取困难，并计划在今年下半年削减产量。
据多位业内消息人士透露，日本厂商如关东电化工业（Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.）和中央硝子（Central Glass Co., Ltd.）已开始向韩国芯片制造商，包括三星电子和DB HiTek，通报潜在的供应中断风险。
知情人士表示，依靠现有钨库存，5月和6月的供应仍可维持，但下半年前景存在较大不确定性。相关供应商已建议韩国客户转向本土厂商，如SK specialty和Foosung Co., Ltd.。
由于对日本WF6依赖程度更高，三星面临的风险相对更大，相比之下，SK海力士的供应更具灵活性，其已从SK specialty、Foosung以及中国供应商中钨高新（Peric）等多渠道采购。
部分晶圆代工厂也在加紧推进韩国本土WF6的认证工作。通常新材料的工艺认证周期超过18个月，但在当前紧迫形势下，企业正尝试缩短甚至跳过部分流程。
WF6是一种关键前驱气体，用于在晶圆上沉积钨薄膜，这些薄膜作为芯片内部的导电通路。该材料广泛应用于DRAM、NAND和逻辑芯片制造，其中在3D NAND中的用量尤为巨大。由于其垂直堆叠结构，每一层都需进行一次钨沉积，例如200层结构就需要200次沉积工艺。
尽管业界正尝试在先进NAND工艺中以钼替代钨互连，但大规模应用仍需时间。（校对/孙乐）
