美光宣布，其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂已开始生产1α（1-alpha）DRAM。此举标志着该公司最先进的DDR4兼容工艺技术首次在美国本土投产。美光表示，此次扩建将使该工厂的DDR4晶圆产量翻四倍，投资额超过20亿美元，其中2.75亿美元来自最终确定的《芯片和科学法案》拨款，预计将于年底前投产。

该公司是美国唯一的内存制造商，其位于马纳萨斯的工厂专门服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络和医疗设备等行业的长生命周期客户。

由于旧内存标准的供应意外紧张，美光正在扩大DDR4的产能。三大DRAM生产商都在重新分配工厂产能，用于生产DDR5、LPDDR5X和高带宽内存（HBM），以满足超大规模数据中心运营商和人工智能驱动的需求。去年，美光公司发布了面向大众消费市场和数据中心市场的主流DDR4和LPDDR4产品的停产通知，预计将于2026年初停止向这些客户发货。

这一决定使产品周期长的行业面临风险。标普全球移动通信公司估计，2026年汽车DRAM合约价格可能比2025年上涨70%~100%，并警告称，到2028年，老一代汽车DRAM的供应将开始急剧减少。据报道，汽车和工业买家的DDR4库存缓冲已从超过31周缩短至仅6~8周。

美光于2020年底在其中国台湾晶圆厂率先量产的1α工艺节点，其位密度比之前的1z节点提高约40%，并且是首个实现小于15nm单元尺寸的DRAM技术。它采用DUV光刻技术，而非三星在其先进DRAM节点中采用的更昂贵的EUV光刻技术。美光更新的1β和1γ节点专用于DDR5、LPDDR5和HBM。

将1α生产线迁回弗吉尼亚州，实际上为DDR4和LPDDR4内存打造了一条专属的美国生产线，避免与美光领先的AI产品争夺晶圆订单。位于马纳萨斯的这家工厂还将直接创造3100多个制造业和社区就业岗位。

弗吉尼亚州工厂是美光2000亿美元美国投资计划的一部分。该公司于今年1月在纽约州克莱市破土动工兴建新的内存制造厂，其位于爱达荷州的首家新工厂预计将于2027年中期投产。美光还承诺，一旦其在美国其他工厂的DRAM晶圆产能达到足够水平，最终将在弗吉尼亚州工厂增设HBM先进封装能力。