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英特尔风险试产 18A-P 工艺：同性能功耗降低 18%、同功耗性能提升 9%
5 小时前
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来源：IT之家
英特尔在VLSI Symposium上更新公布工艺路线图，18A-P工艺进入风险生产阶段，是18A家族首个性能增强版本，功耗降低18%，性能提升9%，带来更好热特性和设计灵活性。
英特尔昨日（6 月 16 日）发布公告，宣布在 2026 年 VLSI Symposium 半导体研讨会上，更新公布了工艺路线图，宣布 18A-P 进入风险生产阶段。
IT之家注：VLSI Symposium 是全球半导体集成电路和微电子器件领域最顶级的国际学术会议之一。它与 ISSCC、IEDM 并称为集成电路领域的“三驾马车”，在学术界和工业界享有极高的声誉。
英特尔在博文中宣布 18A-P 工艺按照此前规划时间表推进，目前已进入风险生产阶段（Risk Production）。该阶段是指晶圆厂在某项全新工艺技术初步稳定后，生产供客户测试的首批芯片。
此阶段良率未达最大规模量产标准，主要用于生产工程验证（ES）和早期认证（QS）样品，帮助客户优化设计、调整良率。
IT之家援引博文介绍，18A-P 工艺是英特尔 18A 家族的首个性能增强版本，面向客户复用现有 IP 与设计流程。在同性能下，功耗可降低 18%；在同功耗下，性能可提升 9%。同时，它还带来更好的热特性和更大的设计灵活性，适合对频率和能效都敏感的先进芯片。
工艺层面，Intel 推出 Power Boost，这是双接触、低电阻晶体管选项，可在匹配电容下提升驱动电流和频率。
英特尔还改善 20% 至 40% 的热阻，以及优化 10% 至 30% 的通孔电阻，并加入第五种逻辑 Vt 组合，帮助设计者平衡速度与功耗。
