力积电:DRAM代工价7月再涨45%、成熟制程同步调升
7 小时前 / 阅读约3分钟
来源:集微网
力积电受惠AI需求强劲,7月调升DRAM投片价格40%至45%,8英寸及12英寸成熟制程代工价格上调10%至15%。自行研发1X DRAM制程已小量生产,1P制程预计2028年中量产。Flash市场受AI需求带动,NOR Flash需求与价格改善。

力积电今 (14) 日召开法说会,总经理朱宪国表示,受惠 AI 需求持续强劲,存储器与成熟制程市场供需同步转紧,公司 7 月已再次调升 DRAM 投片价格约 40% 至 45%,8 英寸及 12 英寸成熟制程代工价格也上调约 10% 至 15%,预计涨价效益将自 11 月起逐步反映在营收与获利表现。

朱宪国指出,AI 运算需求持续扩张,全球大型云端服务供应商 (CSP) 已提前预订未来数年的 DRAM 产能,加上主要存储器厂近期财报表现亮眼,显示整体市场供需维持健康,预估 DRAM 供给吃紧情况可望延续至 2027 年。

因应市场供需变化,力积电 7 月再次调升 DRAM 投片价格,涨幅约 40% 至 45%。不过,由于晶圆制造、出货及客户结算需要一定时间,相关价格调整不会立即反映,预计自 11 月起逐步挹注营收及获利,第四季效益可望较为明显。

制程升级方面,力积电自行研发的 1X DRAM 制程已于 6 月进入小量生产,目前持续改善良率并进行客户验证;与美光 (MU-US) 合作开发的 1P 制程,则预计明年第一季完成相关设备建置,目标于 2028 年中量产,逐步推动 DRAM 技术朝更先进节点发展。

除 DRAM 外,Flash 市场也受到 AI 需求带动。朱宪国说,AI 服务器及 AI 终端装置需求成长,推升 SLC NAND 市场价格持续走扬;NOR Flash 则受惠供给结构调整,市场需求与价格均出现改善。

力积电目前 NOR Flash 月投片量已突破 1 万片,并持续扩大接单,后续将陆续导入更具成本竞争力的 20 奈米制程及新世代产品,提升产品竞争力与获利表现。

逻辑代工方面,成熟制程需求同样维持强劲。力积电第三季订单出货比 (Book-to-Bill Ratio) 已高达 1.4 倍,显示客户需求明显高于公司目前可供应产能,公司也在 7 月同步调升 8 英寸及 12 英寸晶圆代工价格约 10% 至 15%,其中 AI 服务器、车用电子及电源管理 IC 为需求最强劲的应用领域,客户仍持续要求增加投片量。

力积电表示,随着 AI 服务器、存储器及车用芯片需求延续,成熟制程产能仍处于供不应求状态,预期下半年晶圆代工价格仍具进一步调升空间。公司将持续优化产品组合,提高 AI、车用及高附加价值存储器产品比重,改善整体产能利用率与获利能力。