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美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV
4 小时前
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来源：IT之家
美光举行技术网络研讨会，聚焦DRAM技术，选择3D DRAM为未来路径，第7代10nm级DRAM节点1δ在良率爬坡，1δ工艺可提升存储密度约25%，将用于多种产品。
IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于基础 DRAM 技术。
美光认为在二十多年的技术探索后，4F² DRAM 由于复杂度和成本上的不足没有可行的规模化路径。在传统 2D 6F² DRAM 面临尺寸收缩瓶颈的背景下，美光选择 3D DRAM 作为未来的发展路径。
IT之家注意到，长鑫存储此前表示计划在年内推出 4F² 混合键合 DDR5 RDIMM，也有消息称三星电子在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 路线。
美光的第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 已在良率爬坡阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 已在早期开发阶段，导入 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在寻路，计划应用新材料。
美光表示，1δ 工艺可带来约 25% 的代际存储密度提升，同时拥有优化的成本。这项技术将广泛用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品。
美光表示 DRAM CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，带来显著的性能改进。
