1.上市首日破发！全球通用自动驾驶第一股文远知行登陆港交所

2.小马智行港交所挂牌上市 集资额达77亿港元

3.官方回应享界S9T交付状态：产能提升至每月7000台

4.【IC风云榜候选企业13】领开半导体：以ATopFlash突破存储芯片技术壁垒

5.尚元智行完成近亿元A轮融资，加速无人驾驶生态构建

1.上市首日破发！全球通用自动驾驶第一股文远知行登陆港交所

11月6日，文远知行正式登陆港交所，该只股票发行价为27.1港元/股，但上市首日破发，截至发稿价格为23.4港元/股，较发行价跌幅达13.65%，总市值为240.23亿港元。

文远知行自2017年成立，致力于通过无人驾驶技术变革人类出行，提供从L2到L4级别的自动驾驶产品和服务。其五大产品矩阵包括自动驾驶出租车Robotaxi、小巴Robobus、货运车Robovan、环卫车Robosweeper，以及高阶智能驾驶解决方案，广泛应用于智慧出行、货运和环卫领域。

2024年10月25日，文远知行正式登陆纳斯达克，成为“全球通用自动驾驶第一股”，其股票代码为“WRD.US”。

2025年7月31日，文远知行披露Q2财报，二季度公司营收1.27亿元，同比增长60.8%；Robotaxi业务二季度营收4,590万元，同比大幅增长836.7%，创公司成立以来单季度新纪录；Robotaxi业务占二季度营收比例大幅提升至36.1%，创2021年以来单季度历史新高；毛利同比增长40.6%，增速稳步提升。

今年10月14日，证监会发布《关于WeRide Inc.（文远知行公司）境外发行上市备案通知书》，这意味着文远知行回港上市备案正式获批。《通知书》显示，文远知行拟发行不超过102,428,200股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。

2.小马智行港交所挂牌上市 集资额达77亿港元

11月6日，小马智行正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码2026。本次港股IPO中，公司已悉数行使发售量调整权，共计发行约4825万股。若承销商的超额配售权悉数行使（即绿鞋后），集资额可达77亿港元，成为2025年全球自动驾驶行业规模最大IPO，同时是2025年港股AI领域募资额最高的新股。

据官方介绍，2024年11月，小马智行在美国纳斯达克以股票代码“PONY”成功上市，成为“全球Robotaxi第一股”；不到一年后在港股挂牌，标志着正式构建起“美股+港股”双重主要上市架构。

小马智行于2016年成立，获得中国四座一线城市提供面向公众的自动驾驶出行服务全部可得及所需监管许可。

2025年4月，小马智行推出分别与丰田、北汽集团、广汽集团共同研发的三款第七代Robotaxi车型。新一代车型在自动驾驶套件的生产物料（BOM）成本较上一代下降70%，其中自动驾驶计算单元（ADC）成本较上一代下降80%，固态激光雷达成本较上一代下降68%。

3.官方回应享界S9T交付状态：产能提升至每月7000台

11月6日，享界汽车发布新一期车友问答。问答中提到，截止2025年10月31日，已为6000多位车主交付爱车。目前，享界超级工厂正全力提升产能，10月已实现快速爬坡，达到了7000台。在满负荷生产状态下，工厂的月产能最高可达1万台。

此外，享界S9T纯电版本交付得比较慢，是由于纯电车型专用的电池供应正处于紧张的产能爬坡阶段。

据了解，鸿蒙智行享界S9T于9月16日正式上市，官方指导价30.98万元起，官方确认上市25天大定破20000台。

享界S9T首批搭载ADS4，全系标配全维感知系统、全新一代华为途灵平台。纯电版搭载了800V华为巨鲸电池平台，CLTC纯电续航最长可达801公里。增程版搭载华为雪鸮智能增程系统，配备了53.4kWh电池，CLTC纯电续航为354公里，而CLTC综合续航则可达1305公里。

4.【IC风云榜候选企业13】领开半导体：以ATopFlash突破存储芯片技术壁垒

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】宁波领开半导体技术有限公司 （简称：领开半导体）

【候选奖项】年度技术突破奖

【候选产品】ATopFlash

在当前全球半导体产业持续升级与AI技术深入发展的时代背景下，存储芯片作为智能设备的核心组成部分，其技术突破与创新应用正成为推动产业进步的关键力量。在这一充满机遇与挑战的赛道中，宁波领开半导体技术有限公司自2020年3月成立以来，凭借其自主原创的ATopFlash©存储架构，以创新突破技术瓶颈，展现出中国半导体企业的研发与创新活力。

作为一家Fabless模式的半导体技术公司，领开半导体不仅专注于芯片设计，更致力于底层存储架构的创新。该公司总部位于宁波，在上海设有子公司，团队研发人员占比高达85%，展现出极强的技术攻坚实力。2025年，该公司分别入选“浙江省种子独角兽Top 100”“苏州工业园区科技领军人才创新创业项目”，并获评“国家级科技型中小企业”，创新潜力获得政府与行业的认可。

突破工艺壁垒，构建自主技术体系

领开半导体指出，当前，NOR Flash技术面临严峻挑战，独立式NOR Flash因工艺节点无法突破，性能提升陷入停滞；嵌入式NOR Flash在28nm以下先进制程中缺乏成熟方案，行业被迫依赖外挂存储过渡。尽管MRAM、RRAM等新型存储技术试图破局，但其在可靠性、面积及功耗等方面的短板仍难以满足市场需求。这一全球性技术瓶颈，正是领开半导体的突破机遇。ATopFlash©在完全兼容现有NOR Flash产品的同时，通过独创技术路径打破工艺限制，兼具高可靠性、高密度与低成本优势。

ATopFlash©是一项独立于工艺的非挥发性存储底层架构发明，其依托的物理原理即量子隧穿机制，该机制正是2025年诺贝尔物理学奖获奖成果的核心内容，领开半导体已将其推进至产品化阶段。目前，ATopFlash© 已完成版权登记，并已获得17项中国发明专利授权，另有4项发明专利正在申请中。

作为领开半导体自主研发的基于创新组对架构的存储芯片解决方案总称，ATopFlash©涵盖了领开半导体未来所有基于新技术的NOR Flash系列产品，其通过“双轨”解决方案，为行业提供了突破性的发展路径。在嵌入式领域，攻克28nm以下工艺瓶颈，提供传统e-Flash完整解决方案；在外挂式领域，创新整合LPDDR-NOR封装与高速IO器件技术，成功突破了传统外挂NOR Flash在性能上的瓶颈。当前，蓬勃发展的AI市场对端侧存储芯片的高容量与高读取速度提出了苛刻要求，这正是现有厂商的痛点。ATopFlash©的“双轨”解决方案将有力满足这一需求，推动用户端AI应用的真正落地，为市场带来重大变革，加速进入AI时代下半场，赋能智能化生活的普及。

ATopFlash©技术在核心架构与制造工艺上的多重突破，展现出显著的性能优势与前瞻的微缩潜力：

-单元更小：ATopFlash©小于1T1b，省去了不利于微缩的高压NMOS选择管；

-光罩层数少：节省了一层common source line所需的金属光刻层；

-工艺简化：减少了选择管NMOS形成所需的光刻层及工艺步骤，工艺更统一简洁；

-读取电流高：读取电流提升>50%；

-可靠性提升：彻底避免了编程操作时潜在的SG漏电/可靠性问题。

此外，ATopFlash©产品支持≥10万次擦写寿命与长达20年的数据保存能力，具备低功耗、接口兼容性好等优势，广泛适用于工业、车载及各类嵌入式系统。

重塑市场格局，开辟国产替代新路径
ATopFlash©面向两大关键市场：一是规模达300亿元的独立式NOR Flash存量市场，依靠技术迭代，具有巨大成本优势；二是规模约25亿元的嵌入式Flash IP增量市场，突破28纳米以下全球嵌入式NOR Flash IP领域的技术空白。该技术完全兼容现有逻辑芯片工艺，可助力合作伙伴在40纳米、28纳米、22纳米等节点实现SoC/MCU量产，并为未来延伸至14/10/7/5纳米FinFET工艺奠定基础。

领开半导体指出，业界认为MRAM和RRAM等新兴存储器在特定场景下有望替代NOR Flash。特别是台积电和英飞凌自2010年起就合作开发RRAM技术，旨在解决传统嵌入式闪存（eFlash）在性能、功耗和成本上的局限。这进一步加深了“NOR闪存无法兼容28nm以下工艺”的共识，加速了业界对新型存储器的研究转向。然而，尽管从技术原理来看，新型存储器具备诸多技术和性能优势，但在技术成熟性和成本面前，ATopFlash©技术提供了新的选择。

MRAM受限于材料复杂度与抗磁干扰设计，成本居高不下；RRAM则在读写寿命与环境可靠性方面存在短板。而ATopFlash©沿用成熟的阈值电压控制模式，设计风险低，工艺光罩仅增加3层，在28纳米工艺下即可实现0.023μm²的单位面积，几乎等同于14nm下RRAM的实现的颗粒单位面积0.022μm2。

今年5月，领开半导体完成了首颗55纳米芯片的验证，并计划于2026~2027年实现40纳米全线产品的设计和生产。
此次，领开半导体凭借ATopFlash©的创新突破，竞逐"IC风云榜"年度技术突破奖。该奖项旨在表彰在集成电路领域实现重要技术创新的企业与团队。领开半导体表示，ATopFlash©技术将为广阔的嵌入式市场提供远超传统NOR Flash的兼具高性能和极佳成本效益的通用代码存储解决方案。

在全球半导体竞争日趋激烈的今天，领开半导体以底层架构创新应对技术挑战，在构建起自身的“技术护城河”的同时，为中国存储芯片的自主发展注入了强劲动能。

【奖项申报入口】

2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度技术突破奖】

基于国际产业竞争的使命和责任，我们需要一批优秀的专注于半导体产业的投资机构发挥重要引领作用，带领一众创新型企业披荆斩棘、加速国产替代。
“年度最佳投资机构奖”旨在表彰专注半导体并在本年度做出突出贡献、贡献了最多资本与技术、投向更多半导体新兴企业的头部机构。

【报名条件】

1、半导体领域投资项目占总投资项目的40%以上；
2、基金管理规模不低于10亿人民币；
3、成立时间≥3年。

【评选标准】

1、本年度IPO数量10%；
2、管理资金规模20%；
3、投资项目个数（年度）40%；
4、投资项目总金额（年度）20%；
5、行业影响力10%。

5.尚元智行完成近亿元A轮融资，加速无人驾驶生态构建

10月31日，尚元智行发文称，公司与近日顺利完成新一轮近亿元A轮融资。此次融资由复容投资领投，锡创投跟投，所获资金将重点投入智能滑板底盘的代际升级工作，并用于构建开放的无人驾驶生态平台，为企业下一阶段的高速发展注入强劲新动能。

作为智能滑板底盘领域的领军者，尚元智行凭借卓越的线控核心零部件、全线控底盘以及无人车整车解决方案，成功赢得多家头部无人车科技公司的信赖，成为其核心合作伙伴。基于对市场需求的深度洞察，公司正式启动战略升级，实现了从“无人驾驶核心技术底座”到“全栈式无人驾驶场景赋能平台”的重要跃升。

对于此次战略升级，公司创始人兼CEO冯曙有着清晰的规划与预判。他表示：“无人驾驶的下一个十年，属于终端场景运营商。他们手握丰富、刚需、可闭环的场景，但缺乏独立的整车定义能力；而部分具备自研能力的客户，若仍从‘轮子’造起，将错失黄金窗口期。”尚元智行将依托智能滑板底盘的模块化优势，推出一类、二类、三类底盘矩阵，以此实现让有场景的客户“一键造车”，让有算法的团队“专注上层”，让有运营能力的伙伴“轻资产扩张”的目标，真正将L4技术广泛应用到千行百业之中。

据云平台统计数据显示，尚元智行目前已累计向行业交付超过7000台智能滑板底盘，且累计实现L4无人驾驶行驶里程突破3500万公里，稳稳跻身L4赛道头部企业行列。

锡创投总裁助理王国东指出，无人城配是低速L4领域中最具爆发力的细分赛道，而尚元智行凭借“极致性能+极致交付”的双引擎优势，已然成为该场景下的事实标杆，这正是锡创投决定投资的底层逻辑。同时他还肯定，尚元智行团队具备强劲的战略定力与工程韧性，始终以产品为核心，用落地成果证明实力，为整个行业的快速落地提供有力赋能。

作为业内稀缺的具备底层全链路能力的企业，尚元智行在L4无人驾驶从单点示范向全域运行迈进的过程中，将发挥“核心技术底座级”的基石作用，有力推动行业实现跃迁式发展，为智能驾驶产业注入更多积极力量。