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消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设
2 天前
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来源：IT之家
V10 NAND 的 TLC 版本可实现 28Gb/mm2 的存储密度、5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。
IT之家 7 月 2 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星计划明年三月启动其下一代 3D NAND 闪存 —— 第十代 V-NAND 的首条量产线建设，有望当年 10 月进入全面量产阶段。
据悉该产线的建设计划为 2026 年 3 月开始设备安装，上半年建成产线，此后进行试生产，在稳定后转入正式量产。这一时间表晚于此前部分人士的预期。
三星电子目前最先进的 NAND 工艺为 286 层的 V9，而下代 V10 的堆叠层数将暴涨到 400 层以上（IT之家注：据悉为 430 层左右），届时有望成为最高堆叠闪存，其还引入了超低温蚀刻、混合键合等先进技术。
根据三星电子为今年 2 月的 ISSCC 2025 会议准备的演讲，其 V10 NAND 的 TLC 版本可实现 28Gb/mm2 的存储密度、5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。
