对于三星电子而言，代工业务是整个大厦不可缺少的地基之一。

故事始于 2005 年，彼时三星开始开放晶圆代工，但在这一市场中，当时的它不过是个年营收不足 4 亿美元的门外汉，与同期营收逼近百亿的台积电相比，渺小得几乎可以忽略不计。

然而，三星凭借着惊人的魄力，在 2014 年上演了半导体史上最精彩的弯道超车—— 它力排众议，跳过 20nm 节点，率先量产 14nm FinFET 工艺，一举击败还在 20nm 泥潭中挣扎的台积电，抢下高通骁龙 820 等重磅订单，甚至迫使苹果在 A9 芯片上采用双代工”策略。

可惜，成也激进，败也激进。

在追求极致的竞赛中，三星在 5nm 节点上的虚标策略和良率失控，让它再次失去了Fabless信任，也错失了与台积电并驾齐驱的最佳时机。而台积电凭借更稳健的技术迭代和庞大的产能，迅速拉开了差距。

到了 3nm 时代，尽管三星抢先量产了 GAA 架构，却因良率过低陷入赔本赚吆喝的尴尬境地，截至2025 年末，三星代工业务正面临着前所未有的寒冬：连续多年的巨额亏损（季度亏损高达 1-2 万亿韩元）、市占率被挤压至 6.8% 的低谷，与台积电 71% 的霸主地位形成了鲜明对比。

但这家从未轻言放弃的韩国巨头，并未打算认输。

2nm的背水一战

从2024年开始，三星就将全部资源押注2nm工艺，公司战略理念发生根本性重构：摒弃此前全球首发的激进口号，转而将工艺稳定与良率提升作为核心目标，这也成为了三星代工业务自救的关键起点。

三星2nm工艺延续了此前率先量产的GAA（环栅）架构路线，但基于3nm的失败经验进行了全方位优化。新工艺核心是升级后的MBCFET（多桥通道场效应晶体管）架构，同时引入独特的外延与集成工艺，大幅改善了器件性能与稳定性。相较于传统FinFET技术，其晶体管性能提升11%至46%，可变性降低26%，漏电现象减少约50%，有效解决了先进制程的功耗控制难题。

三星采用的MBCFET结构以水平堆叠的矩形纳米片为沟道，相较于纳米线结构，纳米片宽度可灵活调整，电流驱动能力比FinFET提升约30%，更适配AI加速器、高性能计算等高端场景需求。为进一步强化性能，2nm工艺的MBCFET将堆叠层数提升至4片，驱动电流密度得到显著增强。

在核心架构之外，三星针对关键环节持续攻坚：通过采用单晶粒金属材料降低电阻，引入直接蚀刻金属互连技术优化金属层堆栈，其还在2024年2月与Arm达成合作，共同优化基于GAA技术的下一代Cortex-X/Cortex-A CPU内核，其首款2nm工艺SF2的技术开发于2024年二季度完成，为客户导入提供了核心支撑。

而为了推动关键的良率提升，三星采取了多维举措：优化制造全流程管控，强化系统LSI与晶圆代工事业部的协同效率以降本增效；三星董事长李在镕亲自拜访ASML、蔡司等核心设备供应商，深度对接工艺优化与良率提升方案。

值得注意的是，2025年3月日本解除光刻胶出口限制后，三星重新启用高纯度日本光刻胶，也成为良率快速爬坡的重要助力。尽管当前良率仍低于台积电2nm初期的60%水平，但已大幅缩小差距，为后续产能释放奠定基础。行业普遍认为，先进制程稳定量产需70%以上良率，三星仍需在细节优化中持续攻坚。

经过一番埋头苦干，三星2nm工艺的良率爬坡出乎不少人意料：2024年2月试产初期，良率仅30%，虽高于3nm初期水平，但距离商业化量产标准仍有差距；至2024年4月，良率快速提升至40%。而根据2025年最新消息，三星2nm工艺良率已稳定在50%-60%，不仅一扫此前低良率阴影，更基本满足商业化量产需求，其中搭载该工艺的自研Exynos 2600芯片良率甚至达到60%。

产能方面，三星最初规划在韩国华城S3工厂搭建2nm生产线，目标2025年一季度实现月产7000片晶圆，并计划于2025年底将该工厂剩余3nm产线改造为2nm产能以扩大规模。随着良率达标与订单落地，三星进一步拓展产能布局，宣布在美国泰勒工厂建立2nm代工生产线，工程师分两批于2025年9月、11月部署，同步启动生产设备采购，计划2025年下半年启动量产，2026年底全球2nm月产能将提升至2.1万片。

为了提升市场竞争力，三星也为2nm工艺规划了覆盖不同场景的多版本路线图，形成差异化竞争优势：SF2X、SF2Z聚焦高性能计算与AI领域，SF2A则面向汽车电子市场，首推版本SF2于2025年正式量产，升级版SF2P将于2026年就绪，采用速度更快的晶体管设计，2027年将推出搭载BSPDN（背面供电）技术的SF2Z版本，进一步突破性能瓶颈。

其中，SF2Z的BSPDN技术对应台积电和英特尔的背面供电技术，通过将电源轨置于晶圆背面，彻底消除电源线与信号线的互联瓶颈，相较于传统FSPDN供电方式，可实现17%的芯片尺寸缩减与15%的能效提升，显著强化高性能计算场景的性能表现。

从数据中心到物理AI的战略转向

在全力推进2nm技术攻坚与产能建设的同时，三星晶圆代工做出了关键的战略取舍：面对台积电牢牢主导的数据中心AI半导体市场，正面竞争胜算渺茫；而在新兴的物理AI市场，由于游戏规则尚未完全确立，成为其实现换道超车的核心机遇。

所谓物理AI，是指让AI具备感知、判断现实世界并执行物理动作的技术体系，典型应用覆盖自动驾驶汽车、人形机器人、工业自动化系统等领域。

与数据中心AI市场的竞争逻辑截然不同，物理AI领域的核心竞争变量从极致性能与能效转向成本结构、大规模生产能力与总体拥有成本（TCO）。业内普遍认为，汽车、机器人等物理AI场景的芯片无需尖端制程，4nm至14nm的成熟工艺已能满足需求，且这类芯片需大规模量产，客户对单价敏感度极高，这恰好为三星创造了发挥空间。

三星在物理AI市场的核心优势源于两点：一是灵活的定价与供货策略，相较于台积电的标准化合作模式，三星更能根据客户需求定制合作方案，这一点在价格敏感型市场中极具吸引力；二是垂直整合的产业布局，除晶圆代工外，三星在存储器、先进封装领域均具备全球顶尖实力。而物理AI客户考量的总成本，不仅包含晶圆代工价格，还涵盖半导体生产、封装测试及存储器采购等全链条支出，三星的垂直整合能力使其在TCO竞争中占据天然优势。

汽车半导体成为三星进军物理AI市场的首要突破口——汽车行业是物理AI技术最早实现商业化落地的领域，其成熟的工艺流程与严格的质量管控标准，可自然延伸至机器人、工业自动化等后续赛道。

从订单落地时间线来看，三星的汽车芯片布局已形成明确成果：早在2023年6月7日，三星便宣布与现代汽车达成首次汽车芯片合作，为其供应Exynos Auto V920芯片，用于驱动下一代车载信息娱乐（IVI）系统，该系统于2025年正式推出；2025 年7 月，三星与特斯拉签署价值 165 亿美元、为期 8 年的 AI6 芯片代工协议，值得注意的是，三星在美国得克萨斯州泰勒新建的2nm工厂，将专门用于生产特斯拉AI6芯片，足见双方合作的战略重要性。

对三星而言，获得汽车半导体订单的意义远超业务增收：这标志着其已具备物理AI领域所需的工艺稳定性与大规模运营能力，为后续拓展机器人、工业AI半导体市场奠定了技术与商业基础。

当前，人形机器人、工业自动化设备、智能物流系统等物理AI应用正进入快速发展期，市场规模预计将迎来爆发式增长。三星通过汽车市场积累的客户信任与量产经验，已转化为其在这一新兴赛道的核心竞争资本，与2nm先进制程形成“成熟工艺卡位新兴市场、先进制程攻坚高端场景”的双线布局。

从大型公司到中小型无晶圆厂

在战略锚定物理AI赛道的同时，三星代工还在同步推进客户生态的结构性升级——从过往过度依赖高通、英伟达等少数大客户的单一模式，转向构建覆盖大型科技巨头、细分领域龙头到中小型无晶圆厂企业的全层级客户体系。

这一转型精准契合了AI半导体市场的结构性变革：随着生成式AI、边缘计算等应用的普及，高性能芯片需求不再局限于头部科技公司，大量聚焦细分场景的中小型无晶圆厂企业加速涌现，成为驱动市场增长的新引擎。

值得关注的是，虽然台积电以67%的全球市场份额占据绝对主导地位，但这也导致其先进制程产能长期处于饱和状态，对新增订单尤其是中小型客户订单的承接能力有限，导致客户普遍面临交货周期拉长、议价能力弱化的困境。

在此背景下，三星凭借相对富余的先进制程产能、灵活的生产线调度能力以及更具竞争力的定价策略，成为众多寻求供应链多元化企业的重要选择，成功打开了市场的突破口，除了前文提到的特斯拉之外，此前转投台积电的高通也选择重返三星供应链，2026年1月8日，高通首席执行官在国际消费电子展（CES）期间证实，正与三星积极推进2纳米芯片代工合作洽谈，相关芯片设计工作已全部完成，旨在加快产品商业化落地，业界推测此次合作涉及骁龙8 Elite Gen 5的2纳米优化版本或下一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 6，这被普遍解读为三星2纳米SF2P制程在性能、能效及良率上已具备市场竞争力的有力证明。

在韩国本土，三星将培育本土AI无晶圆厂企业作为战略重点，与DeepX、Boss Semiconductor等企业达成深度合作，其中边缘AI芯片企业DeepX于2025年8月13日宣布与三星、GAONCHIPS签署三方协议，共同打造全球首款2nm端侧生成式AI芯片DX-M2，计划2027年量产；这些本土客户不仅为三星提供了稳定的订单支撑，其聚焦的边缘AI、端侧计算等方向，更与三星的技术路线形成协同，助力探索新计算架构的商业化落地。

日本市场也成为三星突破台积电垄断的战场。2024年7月，三星正式确认赢得日本AI公司Preferred Networks（PFN）的2nm芯片代工订单——PFN自2016年起便是台积电的忠实客户，此次转投三星被业界视为三星在高端代工市场的重要突破。此外，三星还成功拿下任天堂Switch 2游戏机的芯片代工订单，进一步扩大了在日本消费电子与AI芯片领域的客户版图。值得注意的是，PFN选择三星的核心原因，在于三星GAA架构在特定AI芯片场景的性能优势，以及更具吸引力的合作条件，这也为三星后续拓展其他日本企业奠定了基础。

为支撑多元化客户生态的持续扩张，三星还同步强化了后端支撑体系建设：一方面大幅扩充销售与技术支持团队，针对不同行业、不同规模的客户配备专属服务团队，提升需求响应与技术对接效率；另一方面深化与设计服务企业的合作，完善从芯片设计到量产的全流程服务能力。

随着客户生态的逐步完善，三星晶圆代工部门的开工率已稳步回升，2025年二季度数据显示其先进制程产能利用率已提升至70%以上，带动设计合作伙伴业绩同步增长，形成了生态的良性循环。

差异化破局：三星代工的错位竞争之路

在与台积电的多年竞争博弈中，三星代工逐渐认清了一个现实：强行追赶先进制程并非正选选择，与其在对手主导的战场正面硬拼，不如利用差异化策略，开辟台积电难以覆盖的细分市场。

首先是成熟工艺市场，三星与欧洲的意法半导体早在2012年起便在32nm/28nm晶圆代工领域展开合作，其于2014年获得28nm FD-SOI工艺技术转让。双方经过十多年合作，将FD-SOI工艺从28nm迭代至18nm，并创新性集成嵌入式相变存储器（ePCM），实现了性能提升与功耗降低的双重突破。如今这一技术已成功拓展至汽车电子、航空航天等高端可靠性领域，意法半导体借助该工艺量产车用MCU、调制解调器等核心器件，而三星则通过合作深度绑定欧洲汽车供应链，在台积电无暇顾及的成熟工艺赛道悄悄筑起竞争壁垒。

而先进封装技术则是三星另一张王牌。作为全球最大的存储器制造商，三星在高带宽内存（HBM）与先进封装领域的具有独特的协同优势。依托“存储+封装”的技术协同，三星推出了SAINT系列先进封装解决方案，可实现SRAM与CPU的垂直堆叠、多核心IP的一体化封装，更计划在HBM4世代通过Logic Base Die替代传统DRAM Base Die，允许客户嵌入自定义IP，大幅提升数据处理效率并降低30%功耗。

在此基础上，三星构建了覆盖2.5D/3D的全场景封装服务体系，包括I-CubeS、I-CubeE等四大类解决方案，未来还将通过扩大互连层规模、缩减微凸块间距等升级，进一步强化性能优势。为夯实这一优势，三星甚至在2024年7月完成组织架构重组，将分散的HBM技术开发与先进封装团队整合，形成“存储-封装”一体化研发力量，全力打造“晶圆制造-封装测试”一站式服务能力，这种全链条服务能力击中了不少客户的核心痛点。

垂直整合能力则让三星在新兴市场具备更强的竞争力，许多客户考量的核心并非单一芯片性能，而是包含芯片制造、封装测试、存储器采购在内的总体拥有成本（TCO）与供应链稳定性。

三星电子的垂直整合架构恰好适配这一需求：客户选择三星，不仅能获得逻辑芯片代工服务，还能同步采购DRAM、NAND闪存等核心组件，并享受一体化封装解决方案，这种“一站式”服务模式不仅能降低客户的综合采购成本，更能通过技术协同提升产品兼容性，同时规避多供应商合作带来的供应链波动风险。

这套差异化策略的核心价值，在于让三星找到了与台积电的“错位竞争”空间。在数据中心AI芯片等尖端制程主导的市场，三星仍难以撼动台积电的地位；但在汽车电子、物联网、工业自动化等对成本敏感、需求定制化的领域，三星的成熟工艺、封装优势与垂直整合能力形成了合力，逐渐显现出不可替代的竞争力。

结语

三星晶圆代工的转型故事，是一个关于技术挫折、战略调整和生态重构的复杂叙事。从3nm GAA工艺的惨败到2nm工艺的攻坚，从客户流失到多元化的生态系统，从单纯追逐最先进制程到发挥垂直整合优势，三星正在寻找一条不同于台积电的发展路径。

从目前的迹象来看，三星的转型策略正在显示出一定成效。汽车半导体订单的增长、中小型无晶圆厂客户的涌入、2nm工艺的技术进展，都为公司的努力提供了支撑。但市场信心仍需进一步建立。

这一韩国半导体虽仍纠缠于良率与产能的顽疾，但它凭借战略创新、技术攻关与生态构建，已然觅得了自己的突围之径。这不仅仅是一家企业的蜕变故事，更是整个半导体产业在新科技时代适应、演进与角逐的生动镜像。