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NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造
6 小时前
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来源：IT之家
NEO Semiconductor宣布其X-DRAM成功完成概念验证芯片制造，可用现有3D NAND闪存生产线制造，读写延迟＜10ns，85℃下数据保持时间＞1s，并获宏碁创始人施振荣战略投资。
IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。
NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（IT之家注：这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍）。
NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。
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