2025年7月9日,南京大学王欣然教授课题组携手苏州实验室、东南大学等合作单位,在国际知名学术期刊《Nature Materials》上发表了一篇题为“Homoepitaxial growth of large-area Rhombohedral-stacked MoS₂”的研究论文。该论文报道了晶圆级菱方相(3R相)二硫化钼(MoS₂)的同质外延生长技术,并展示了该技术在铁电器件及存储领域的应用潜力。这一成果标志着二维材料可控制备领域取得了重要突破,为二维材料的多功能异质集成提供了新的机遇。该技术的成功研发,有望推动二维材料在电子器件、存储技术等领域的应用进程。