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深圳市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破
2025-08-13
国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在氮化镓和碳化硅集成领域取得重大突破，成功研制出商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓与氮化镓异质结构外延。这一创新显著降低了缺陷密度并提升了散热性能，达到国际领先水平。此次成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，为氮化镓与碳化硅混合晶体管的发展及产业化奠定了坚实基础。
