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中国科学院上海微系统所在纳米级真空沟道器件的大规模制备技术方面取得进展
2 天前
中国科学院上海微系统所集成电路材料全国重点实验室俞文杰课题组提出新型真空沟道电子器件集成方案，该方案结合化学机械抛光（CMP）及选择性湿法腐蚀性，成功制备出具有14nm真空沟道的原型器件，实现较低开启电压和较高发射电流，且与CMOS工艺完全兼容。此方案工艺简单、可控性高、可拓展性强，对真空沟道电子器件的大规模制造有重要参考意义。
