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中国科学院微电子所在RRAM存算一体芯片研究方面取得进展
3 天前
中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室团队成功设计并实现了一款创新性的近阈值RRAM存算一体芯片，该芯片利用双晶体管单阻变存储器单元，有效抑制工艺波动问题，实现了高能效、高并行的AI硬件计算，为边缘端AI硬件的发展提供了新思路。
