英伟达宣布将自研3nm工艺的HBM内存Base Die,预计2027年下半年试产。此举旨在弥补英伟达在HBM领域的技术与生态短板,其HBM供应链未来将采用内存原厂DRAM Die加英伟达自研Base Die的组合模式,有望改变下一代HBM市场竞争格局。