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全球首发：SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存
1 天前
SK海力士宣布，其全球首款321层2Tb QLC NAND闪存产品已完成开发并量产，标志着QLC技术首次突破300层，大幅提升存储密度。新产品通过增加至6个芯片内平面，提高了读写性能、数据传输速度，并优化了功耗效率，特别适合AI数据中心。SK海力士计划将此技术应用于PC固态硬盘、企业级固态硬盘及智能手机UFS，以进一步拓展高容量存储市场。
