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微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）
2025-08-29
根据国际器件与系统路线图（IRDS2023），互补场效晶体管（CFET）被视为FinFET和水平GAA后的新一代晶体管架构。CFET创新性地将NMOS与PMOS器件垂直堆叠，打破了传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局，实现了在更小空间内的高集成密度和性能优势。
