西安电子科技大学郝跃院士团队张进成、宁静教授等近日在宽禁带半导体领域取得突破,成功集成高质量氧化镓薄膜与高导热多晶金刚石衬底,相关成果发表于《Nature Communications》,为氧化镓基电子器件热管理提供新路径。