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西安电子科技大学张进成教授、宁静教授发表金刚石基氧化镓热管理相关成果
6 天前
近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队的张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得重大突破。他们的研究成果题为“Van der Waals β-Ga₂O₃ thin films on polycrystalline diamond substrates”，已在线发表于《Nature Communications》。该研究成功实现了高质量β-Ga₂O₃薄膜与高导热多晶金刚石衬底的有效集成，为氧化镓基电子器件的热管理难题提供了全新解决路径。
