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厦大电子学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓功率器件和深紫外光电探测器领域研究取得重要进展
19 小时前
学院杨伟锋教授团队在第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）功率器件及日盲光电探测器研究上取得重要进展，相关成果发表于Applied Physics Letters及IEEE旗下微电子器件制造领域多个学术期刊，为高性能Ga2O3器件应用提供重要支撑。
