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中国科学院在基于4H-SiC/Diamond复合衬底GaN HEMT异质集成方面取得重要进展
2025-12-05
随着移动通信、卫星通信、雷达等大功率应用场景的快速发展，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）已成为高频、高功率及恶劣环境下的关键器件。然而，随着器件功率密度和工作电压的持续提升，自热问题愈发严重，传统单晶Si或SiC衬底的散热能力已难以满足需求。采用高热导率金刚石构建高效散热衬底，被认为是解决GaN器件自热问题、提升可靠性和功率性能的理想方案。
