存储领域的领军企业SK海力士,已成功完成其位于中国无锡的工厂的制程升级,将DRAM生产从1z nm推进至更先进的1a nm。目前,无锡工厂的DRAM月产能达18万至19万片12英寸晶圆,其中约九成已升级至1a制程。在DRAM工艺中,1z代表第三代10纳米级别制程,而1a则是第四代。