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西安电子科技大学半导体材料技术突破 芯片散热性能飞跃
1 天前
近日，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃与张进成教授团队取得重大突破，成功攻克半导体材料领域近20年的技术瓶颈。该团队通过创新技术，将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，显著提升了芯片的散热效率与综合性能。这一成果不仅解决了从第三代到第四代半导体都面临的共性散热难题，还为半导体材料的高质量集成提供了可复制的中国方案。相关研究成果已发表在国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》上。
