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据报SK海力士正在考虑采用台积电的3nm工艺制造HBM4E逻辑芯片

1 周前

3月26日消息，SK海力士正评估是否在其第七代高带宽内存HBM4E的逻辑芯片上采用台积电3nm制程，以缩小与三星电子的性能差距。不过，业内分析师警告，量产时间和成本问题可能给该计划带来风险。

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