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三安光电联合西电攻克氧化镓外延关键技术
4 天前
据三安光电微信公众号6月2日消息，三安光电联合西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心、杭州镓仁半导体有限公司，在第四代半导体材料氧化镓同质外延技术上取得关键突破。该突破采用金属有机化学气相沉积法，成功抑制外延生长缺陷，在2英寸衬底上制备出高质量同质外延层，为氧化镓在智能电网、新能源汽车等高压场景的产业化应用提供了技术支撑，将推动第四代半导体技术商业化进程。
