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报道：三星电子和 SK 海力士据悉推迟应用混合键合封装工艺

3 周前

三星电子与SK海力士原计划在HBM4中采用混合键合技术，现因行业放宽HBM厚度标准及客户对高堆栈需求延迟，决定继续使用传统热压键合技术。业内预计，混合键合技术最早将应用于16层HBM4E。

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