韩国工业技术研究所与浦项科技大学科学家联合研发出新型芯片堆叠工艺,可稳定堆叠10余片厚度仅14微米的超薄半导体芯片,实现集成密度较商用高带宽存储器(HBM)提升约4倍。该技术通过整合转移印刷与实时键合工艺,在低温低压条件下完成芯片精准堆叠与电气互连,有效解决了超薄芯片易弯曲断裂的难题。研究成果发表于《工程成果》杂志,为缓解AI算力增长中的存储瓶颈提供了关键技术路径,未来可拓展至先进封装与微显示领域。