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掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录
2 天前
更宽带隙的半导体能让电子产品更小、高效且耐高压，但材料导电性较难控制。美国康奈尔大学领导的研究团队发现，在氧化铝镓薄膜中掺入硅，能在比以往更宽的半导体带隙下，保持稳定的导电调控能力。
