三星HBM3E芯片猛砍30%价格,意图夺回市场份额
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来源:集微网
三星电子为重夺HBM内存市场主导地位,推出降价策略,HBM4预计2026年问世,三星计划激进定价,但散热问题未解,良率不稳定,美光科技HBM4样品已出货,三星尚未获英伟达正式批准。

随着人工智能(AI)的蓬勃发展,内存行业的供需进一步紧张,HBM仍然是一项关键资源。存储龙头三星电子正致力于重夺主导地位,据报道,在其12层HBM3E认证延迟后,三星已推出30%的降价策略,试图迎头赶上。

随着HBM4预计将于2026年问世,预计三星将保持其激进的定价优势,初始报价将比对手低约6%~8%。

三星的12层HBM3E于2025年第四季度开始向英伟达出货。尽管该季度的预计出货量达到数万片,但相对于其两大主要竞争对手而言,仍然为时已晚。

SK海力士于2024年下半年开始量产12层HBM3E,美光则于2025年初成功通过认证,推动了全年强劲的收入和利润增长。尽管三星目前已向美国GPU制造商供应12层HBM3E,但数月来一直难以满足英伟达的散热和认证标准。

经过约18个月的反复测试和修改,三星终于在2025年下半年通过所有认证,成为英伟达第三家获得认证的HBM3E供应商。然而,SK海力士和美光已经锁定到2026年的销售份额,这使三星处于不利地位。此外,三星的散热问题尚未解决,因此其产品仍然比竞争对手的运行温度更高,并且需要与液冷AI服务器集成。

预计到2026年,HBM3E的平均价格将下降。三星已率先大幅降价,比竞争对手低约30%。该公司上一代1b DRAM节点良率低且存在设计问题,这给三星带来更大的压力,以避免在即将到来的HBM4中再次遭遇挫折。因此,三星直接跳转到更先进的1c DRAM节点,即HBM4。

三星的HBM4认证结果预计将于2025年11月公布,但向1c DRAM的转型也引发了对潜在良率不稳定的担忧。

美光科技近期宣布,其12层HBM4样品已开始出货,其带宽高达2.8TB/s,速度高达11Gbps,超过了JEDEC官方的8Gbps规范。三星也展示了类似的HBM4规格,并计划于2026年第一季度出货。该公司计划通过激进的定价策略重新夺回市场份额,据报道,其提供的折扣比竞争对手高出几个百分点。然而,该公司尚未获得英伟达正式批准HBM4的供应。

美光科技表示,有信心其2026年的HBM市场份额将超过2025年,这表明随着HBM4竞争的开始,任何市场变化都不太可能对其地位产生实质性影响。(校对/赵月)