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光刻胶领域我国取得新突破
1 天前
北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者，首次采用冷冻电子断层扫描技术，在原位状态下揭示了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布及缠结行为。基于此，他们开发出可减少光刻缺陷的产业化方案，相关研究成果已发表于《自然·通讯》。光刻中的“显影”步骤至关重要，但光刻胶在显影液中的微观行为长期未明，影响了先进制程的良率。该技术成功合成了分辨率超过5纳米的微观三维图像，解决了传统技术的难题。彭海琳表示，此技术将有助于提升先进制程关键工艺的缺陷控制与良率。
