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南京理工大学教师王酉杨研究成果被功率半导体领域国际顶级期刊录用发表
2025-12-15
近日，南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨作为第一作者，在功率半导体领域的国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》上发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究论文。该研究是与北京昕感科技（集团）有限公司副总经理李道会博士带领的研发团队共同完成的，微电子学院顾文华教授担任论文通讯作者，南京理工大学为论文的第一完成单位。
