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天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料
21 小时前
3月29日讯，据太原日报，中北高新区企业天成半导体继12英寸突破后，近日依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。该材料主要应用于以碳化硅及其复合材料为主的设备零部件，可适应晶圆外延、刻蚀等制造环节的恶劣环境。
