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天成半导体攻克 14 英寸碳化硅单晶，国产大尺寸 SiC 再攀高峰
18 小时前
中北高新区企业天成半导体近日宣布，继2025年实现12英寸高纯半绝缘与N型碳化硅单晶双突破后，依托自主研发的长晶设备，成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米，晶体零微管缺陷，位错密度达国际先进水平。
